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觸控芯片核心技術(shù)解析與選型指南2025-07-07 10:32
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浮思特 | 紅外熱成像原理與技術(shù)應(yīng)用詳解2025-07-04 09:59
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ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務(wù)器和工業(yè)電源高效能2025-07-03 10:23
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電子設(shè)備NMB散熱風(fēng)扇核心技術(shù):從基礎(chǔ)選型到耐環(huán)境設(shè)計(jì)2025-07-03 10:20
散熱風(fēng)扇是電子設(shè)備內(nèi)部用于關(guān)鍵熱管理的核心組件,其作用遠(yuǎn)超簡單的“吹風(fēng)”,涵蓋散熱、通風(fēng)及空氣循環(huán)等多種功能。理解其技術(shù)特性對于設(shè)備設(shè)計(jì)與可靠性至關(guān)重要。散熱風(fēng)扇的基本分類散熱風(fēng)扇主要依據(jù)輸入電源和氣流動(dòng)力學(xué)原理分類:按電源:交流風(fēng)扇(ACFan):直接使用交流電網(wǎng)供電。直流風(fēng)扇(DCFan):使用直流電源,通常電壓較低(如5V,12V,24V,48V),功 -
東京大學(xué)開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管,延續(xù)摩爾定律提供新思路2025-07-02 09:52
據(jù)報(bào)道,東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注,標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能,遷移率高達(dá)44.5cm²/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測試中,這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí),顯示出其在高壓和高溫等極端條件 -
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案2025-07-02 09:47
電子設(shè)備正逐漸融入越來越多的產(chǎn)品中。無論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電子技術(shù),供應(yīng)商們開發(fā)了豐富的開關(guān)器件供各種應(yīng)用選擇。如今電力電子的趨勢是使用半導(dǎo)體開關(guān)器件來整流、切換和控制電壓和電流。隨著二極管、晶閘管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(I -
大基金三期聚焦微影技術(shù)與芯片設(shè)計(jì)工具,助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展2025-07-01 10:15
近日,彭博社報(bào)道,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期(以下簡稱“大基金三期”)正計(jì)劃將投資重點(diǎn)放在微影技術(shù)、芯片設(shè)計(jì)工具等關(guān)鍵領(lǐng)域。這一舉措旨在減少中國在高端半導(dǎo)體技術(shù)方面對國際巨頭的依賴,尤其是在荷蘭ASML、美國益華電腦(Cadence)和新思科技(Synopsys)等公司主導(dǎo)的領(lǐng)域。大基金三期的成立是中國政府推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要舉措之一。自2014年以來 -
浮思特 | 當(dāng)前電流傳感器的主要類型有哪些?2025-07-01 10:13
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瑞薩電子推遲營收目標(biāo)至2035年 面對競爭與技術(shù)挑戰(zhàn)2025-06-30 11:02
瑞薩電子(RenesasElectronics)近期在一場媒體發(fā)布會(huì)上宣布,將其原定于2030年實(shí)現(xiàn)的營收目標(biāo)推遲至2035年。這一決定反映了嵌入式半導(dǎo)體行業(yè)的劇烈變化以及公司在技術(shù)方向上的重要調(diào)整。瑞薩社長柴田英利在發(fā)布會(huì)上表示,自2022年設(shè)定營收目標(biāo)以來,行業(yè)內(nèi)外部環(huán)境發(fā)生了顯著變化。尤其是在與中國競爭對手的競爭中,瑞薩面臨著前所未有的壓力。他強(qiáng)調(diào),盡 -
浮思特 | MCU 和 PSoC 如何使家電更加智能2025-06-30 11:01