深圳市浮思特科技有限公司文章

• 如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動器2023-10-09 14:21

  

  額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此，高端設計通常選擇專用的 SiC 核心驅(qū)動器，這會考慮到更快的開關(guān)、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說：“你總是可以使用標準柵極驅(qū)動器，但你必須用額外的電路來補充它，通常這就是權(quán)衡。”

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• 如何使用萬用表測試 IGBT2023-10-09 14:20

  

  通過目視檢查、測量電氣參數(shù)、評估柵極驅(qū)動和開關(guān)特性以及在應力條件下進行測試，可以識別潛在故障。然而，這種萬用表測試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對 IGBT 進行更全面的評估，建議進行柵極驅(qū)動測試、開關(guān)性能分析等額外測試。

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• SiC 和 GaN：兩種半導體的發(fā)展2023-10-08 15:24

  

  在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會很快從電力應用中消失。但一級制造商和原始設備制造商表示，將高功率密度碳化硅應用到逆變器設計中，可以降低系統(tǒng)級成本，因為需要更少的組件，從而節(jié)省了空間和重量。

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• GaN技術(shù)：電子領域的下一波浪潮2023-10-07 11:34

  

  GaN技術(shù)正在電力電子領域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費電子和航空航天等領域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將有助于滿足全球減排壓力，推動更高效的電力轉(zhuǎn)換和電氣化，為未來的電子器件設計師提供了全新的可能性。

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• 英飛凌、TI、NXP等芯片大廠最新市場行情2023-09-28 11:31

  

  芯片市場一直備受矚目，2023年馬上過去的9月的市場情況也吸引了廣泛的關(guān)注。9月芯片市場行情仍在緩慢復蘇，需求大多集中在汽車領域，消費類物料則因庫存充足需求疲軟，導致部分產(chǎn)品價格倒掛。

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• 碳化硅（SiC）需求迎來指數(shù)級增長2023-09-28 11:23

  

  由于政府對氣候變化的要求以及可能更重要的是消費者需求呈指數(shù)級增長，汽車原始設備制造商（OEMs）計劃將電池電動車型轉(zhuǎn)為未來10至15年主要銷售的汽車。這種電氣化轉(zhuǎn)型正日益定義了汽車動力半導體的整體市場需求。最初，汽車動力半導體市場主要由硅IGBT和MOSFET主導，而SiC和氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體的機會僅限于早期采用者，如特斯拉。

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• 新能源汽車充電市場的三大趨勢2023-09-27 10:26

  

  這三大趨勢將推動電動汽車充電市場的發(fā)展，為更快速、更高效的充電解決方案提供了新的可能性，有望在全球范圍內(nèi)促進電動汽車的普及。向更高電壓架構(gòu)的過渡有望提高性能并縮短充電時間，同時監(jiān)管舉措將支持快速充電設施的部署。這些趨勢有望為電動汽車產(chǎn)業(yè)的未來帶來積極影響，推動電動汽車的發(fā)展。

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• BC電池將取代TOPCon電池？2023-09-26 14:12

  

  BC電池與TOPCon技術(shù)的競爭前景 1.上下游產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展 BC電池的發(fā)展需要整體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。目前，BC技術(shù)的設備和材料等相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈還需要進一步完善，其產(chǎn)能受到限制。而TOPCon技術(shù)規(guī)劃的產(chǎn)能已達到1000GW，并且各環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)相對成熟。 2.市場應用范圍 BC電池更適用于對審美要求高、價格敏感度低的中高端分布式家居和工商業(yè)市場。

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• 新能源汽車無線充電技術(shù)的應用2023-09-26 12:03

  

  電動汽車的無線充電系統(tǒng)通常分為三種類型： 1. 固定式：這種系統(tǒng)類似于傳統(tǒng)的插入式充電器，提供“停車和充電”以及其他便利功能。車輛上的接收板與街道上的充電板取代了傳統(tǒng)的充電線纜。 2. 范圍動態(tài)：范圍內(nèi)充電設備可以放置在公共交通站點、出租車站和交通信號燈附近，以為電動汽車提供短期充電。這種方式在不斷變化的環(huán)境中提供靈活的充電解決方案。

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• SiC MOSFET逆變器的創(chuàng)新應用2023-09-25 17:56

  

  碳化硅逆變器將有助于駕駛員更快地為電動汽車充電，減輕消費者對續(xù)航里程的焦慮。由于SiC具有更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度，因此它是用于快速充電解決方案的理想半導體材料，尤其適用于涉及大電流和快速切換的交流到直流充電系統(tǒng)，因此需要良好的熱管理。至于硅基氮化鎵器件（GaN），雖然其高達200千赫茲的開關(guān)速度使其適用于電動汽車充電器和轉(zhuǎn)換器，但目前其可制造性仍然存

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