CMPA0060002F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

Cree

型號： CMPA0060002F-AMP

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

增益 18 dB 小信號增益
工作電壓 4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達 28 V
耐壓性高擊穿電壓
環(huán)境高溫操作
測試件尺寸 0.5" x 0.5" 產(chǎn)品總尺寸

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Cree 的 CMPA0060002F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬和砷化鎵晶體管。該 MMIC 采用分布式（行波）放大器設(shè)計方法，使極寬的帶寬，以實現(xiàn)在一個小的占位面積旋入式封裝，具有銅鎢散熱器。

特性
18 dB 小信號增益
4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達 28 V
高擊穿電壓
高溫操作
0.5" x 0.5" 產(chǎn)品總尺寸

應(yīng)用
超寬帶放大器
光纖驅(qū)動器
測試儀器
EMC 放大器驅(qū)動器

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