CGH40006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 晶體管

型號： CGH40006S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

頻段高達 6 GHz
增益 2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益
增益 6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益
PIN PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W
電壓 28 伏

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGH40006 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40006；從 28 伏電壓軌運行；提供通用的；適用于各種射頻和微波應用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力；使 CGH40006 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用焊接藥丸封裝和 3-mm x 3-mm；表面貼裝; 雙扁平無引線封裝。

特征
高達 6 GHz 的操作
2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益
6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益
PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W
28 伏操作

應用
2路私人收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎設施
測試儀器
A類；乙; 適用于OFDM的放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形

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