C3M0065090J擴(kuò)展了其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)低電感分立封裝方面的領(lǐng)先地位，具有寬漏極和源極之間的爬電距離和間隙距離 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高頻能力，同時(shí)提供適用于高污染環(huán)境的額外電氣隔離。獨(dú)立的 Kelvin 源極引腳降低了電感；可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 30%。設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)從基于硅的轉(zhuǎn)變來(lái)減少組件數(shù)量；改進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能使三級(jí)拓?fù)渥優(yōu)楦?jiǎn)單的兩級(jí)拓?fù)涑蔀榭赡?/p>
好處
? 降低開(kāi)關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率
特征
? 新的 C3M SiC MOSFET 技術(shù)
? 帶有驅(qū)動(dòng)源引腳的新型低阻抗封裝
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管
? 低輸出電容 (60pF)
? 無(wú)鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 漏極和源極之間的爬電距離寬 (~7mm)
應(yīng)用
? 再生能源
? 電動(dòng)汽車(chē)電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開(kāi)關(guān)模式電源
相關(guān)型號(hào)
C3M0065090J C3M0032120D
E3M0120090J C3M0032120K
C3M0120090J C3M0040120J1
C3M0120090D C3M0040120D
C3M0280090J C3M0040120K
C3M0280090D C2M0040120D
C3M0065100J C3M0075120D-A
C3M0065100K C3M0075120K-A
C3M0120100J E3M0075120K
C3M0120100K E3M0075120D
C3M0016120D C3M0075120D
C3M0016120K C3M0075120J
C3M0021120D C3M0075120K
C3M0021120K C2M0080120D
C2M0025120D C3M0160120J
C3M0032120J1
