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CG2H40120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: CG2H40120F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻率 高達 2.5 GHz 的操作
  • 增益 1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益
  • 增益 2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益
  • PSAT功率 130 W 典型 PSAT
  • PSAT效率 PSAT 70% 的效率
  • 電壓 28 伏操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CG2H40120 是無與倫比的;氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40120;從 28 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率;高增益和寬帶寬能力;使 CG2H40120 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用法蘭和藥丸封裝。

CG2H40120F

 

 

特征
高達 2.5 GHz 的操作
1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益
2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益
130 W 典型 PSAT
PSAT 70% 的效率
28 伏操作

 

應用
2路私人收音機
寬帶放大器
測試儀器

 

相關型號
CG2H40120F
CG2H40120F-AMP
CG2H40120P
CG2H80015D-GP4
CG2H80030D-GP4
CG2H80045D-GP4
CG2H80060D-GP4
CG2H80120D-GP4
CGH09120F
CGH21120F
CGH21120F-AMP
CGH21240F
CGH21240F-AMP
CGH25120F
CGH27015F
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CGH27015P
CGH27030F
CGH27030F-AMP
CGH27030P
CGH27030S
CGH27030S-AMP1
CGH27060F
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CGH35060P1
CGH35060P2
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CGH40006P
CGH40006P-AMP
 

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