CGH25120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGH25120F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

頻率 2.3 – 2.7 GHz 操作
增益 13分貝增益
PAVE功率 20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR
PAVE效率 20 W PAVE 時效率為 30 %
應(yīng)用特性可應(yīng)用高度 DPD 校正

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGH25120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為實(shí)現(xiàn)高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH25120F 成為 2.3-2.7GHz WiMAX 的理想選擇；LTE 和 BWA 放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

特征
2.3 – 2.7 GHz 操作
13分貝增益
20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR
20 W PAVE 時效率為 30 %
可應(yīng)用高度 DPD 校正

應(yīng)用
MC-GSM；WCDMA 和 LTE 放大器

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立年電子科技

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