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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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C4D30120D分立碳化硅肖特基二極管

型號: C4D30120D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 阻斷電壓 1200V
  • 最大持續(xù)電流 30A
  • 總電容電荷 77.5nC
  • 正向電壓 1.6V
  • 功耗 440W

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標準肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET配對可在一起購買時實現(xiàn)更高效率和更低組件價格的強大組合。

C4D30120D


好處
? 用單極整流器代替雙極
? 基本上沒有開關(guān)損耗
? 更高的效率
? 降低散熱器要求
? 沒有熱失控的并行器件


特征
? 1.2kV 肖特基整流器
? 零反向恢復電流
? 高頻操作
? 與溫度無關(guān)的開關(guān)
? 極快的切換


應(yīng)用
? 開關(guān)模式電源 (SMPS)
? PFC 或 DC/DC 級中的升壓二極管
? 逆變器級中的續(xù)流二極管
? AC/DC 轉(zhuǎn)換器


阻斷電壓:1200V
最大持續(xù)電流:30A
總電容電荷:77.5nC
正向電壓:1.6V
功耗:440W

 

相關(guān)型號
C3D20065D C4D10120D
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C3D30065D C4D15120D
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