CGHV1F025S 電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGHV1F025S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

高頻操作 15 GHz
典型輸出功率 25 W
增益 9.4 GHz 時 11 dB
應用電路 8.9 – 9.6 GHz

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV1F025S 是無與倫比的；氮化鎵（GaN）；專為高效設(shè)計的高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力。該設(shè)備可部署為L；小號；C; X 和 Ku 波段放大器應用。數(shù)據(jù)表規(guī)格基于 X 波段 (8.9 – 9.6-GHz) 放大器。CGHV1F025S 在 40 伏軌道電路上運行，而封裝在 3 毫米 x 4 毫米；表面貼裝; 雙扁平無引線 (DFN) 封裝。在降低功率下；晶體管可在 40V 以下至低至 20V VDD 的電壓下工作；保持高增益和效率。

特征
高達 15 GHz 的操作
25 W 典型輸出功率
9.4 GHz 時 11 dB 增益
8.9 – 9.6 GHz 的應用電路

應用
大號; 小號；C; X 和 Ku 波段放大器

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