CGHV31500F1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGHV31500F1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

操作頻率 2.7 – 3.1 GHz
典型輸出功率 650 W
功率增益 12分貝
典型排水效率 65%
歐姆內(nèi)部匹配 50
脈沖幅度下降 <0.3 dB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV31500F1 是一款氮化鎵 (GaN)、完全匹配的 IMFET，采用熱增強型氣腔封裝。該器件在 50V 電壓下工作，能夠提供 500W 的脈沖輸出功率，在 20% 占空比下具有 2mS 的脈沖長度。

特征
2.7 – 3.1 GHz 操作
650 W 典型輸出功率
12分貝功率增益
65% 典型排水效率
50 歐姆內(nèi)部匹配
<0.3 dB 脈沖幅度下降

應(yīng)用
S 波段雷達(dá)放大器

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立年電子科技

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