CGHV60040D-GP4 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號(hào)： CGHV60040D-GP4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

典型功率附加效率 65%
典型 PSAT 40 W
操作電壓 50 伏
耐壓性高擊穿電壓
操作頻率高達(dá) 6 GHz

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV60040D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度；和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 提供更高的功率密度和更寬的帶寬。

特征
65% 的典型功率附加效率
40 W 典型 PSAT
50 伏操作
高擊穿電壓
高達(dá) 6 GHz 的操作

應(yīng)用
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
A類；乙; 適用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；長(zhǎng)期演進(jìn)；邊緣; CDMA波形

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