CMPA0060025D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CMPA0060025D

--- 產品參數 ---

小信號增益 18 dB
典型 PSAT 30 W
工作電壓高達 50 V
擊穿電壓高

--- 產品詳情 ---

CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。這種 MMIC 可以在很小的空間內實現非常寬的帶寬。

特征
18 dB 小信號增益
30 W 典型 PSAT
工作電壓高達 50 V
高擊穿電壓
高溫操作

應用
超寬帶放大器
測試儀器
EMC 放大器驅動器

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