CMPA0060025F1 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號(hào)： CMPA0060025F1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

小信號(hào)增益 18 dB
典型 PSAT 30 W
工作電壓高達(dá) 50 V
擊穿電壓高
耐高溫高溫操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。這種 MMIC 可以在很小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)非常寬的帶寬。

特征
18 dB 小信號(hào)增益
30 W 典型 PSAT
工作電壓高達(dá) 50 V
高擊穿電壓
高溫操作

應(yīng)用
超寬帶放大器
測(cè)試儀器
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立年電子科技

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