CMPA1D1E025F 是基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)，位于碳化硅襯底上；使用 0.25-μm 柵極長度制造工藝。與硅相比，GaN-on-SiC 具有更優(yōu)越的性能；砷化鎵或 GaN-on-Si；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。此 Ku Band MMIC 有 10 引腳可供選擇；25 毫米 x 9.9 毫米；金屬/陶瓷法蘭封裝，以獲得最佳的電氣和熱性能。
特征
24 dB 小信號增益
40 W 典型脈沖 PSAT
工作電壓高達 40 V
OQPSK 下的 20 W 線性功率
A/B類高增益；高效率50歐MMIC Ku波段大功率放大器
應用
衛(wèi)星通信上行
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