CMP5585030 是一款基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。這個(gè) MMIC 包含一個(gè)兩級(jí)；無(wú)功匹配放大器設(shè)計(jì)方法能夠?qū)崿F(xiàn)非常寬的帶寬。該 MMIC 可作為裸片和 10 引線(xiàn)金屬/陶瓷法蘭封裝提供，以實(shí)現(xiàn)最佳電氣和熱性能。
特征
30 dB 小信號(hào)增益
高達(dá) 50 W 的典型 PSAT
工作電壓高達(dá) 28 V
高擊穿電壓
高溫操作
應(yīng)用
點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電
通訊
測(cè)試儀器
EMC 放大器驅(qū)動(dòng)器
相關(guān)型號(hào)
CMPA5585030D
CMPA5585030F
CMPA5585030F-AMP
CMPA601C025D
CMPA601C025F
CMPA601C025F-AMP
CMPA601J025D
CMPA801B025D
CMPA801B025F
CMPA801B025F-AMP
CMPA801B025P
CMPA801B030D1
CMPA801B030F
CMPA801B030F1
CMPA801B030F-AMP
CMPA801B030S
CMPA901A020S
CMPA901A035F
CMPA901A035F1
CMPA901A035F-AMP
CMPA9396025S
CMPA9396025S-AMP1
GTRA184602FC-V1
GTRA214602FC-V1
GTRA260502M-V1
GTRA262802FC-V2
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GTRA360502M-V1
GTRA362002FC-V1
