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GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: GTRA412852FC-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 典型的脈沖連續(xù)波性能 4100兆赫
  • P3dB 時的輸出功 235 W
  • 增益 10 分貝
  • 效率 45%
  • VSWR 48 V

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTRA412852FC 是一款 235 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),用于多標準蜂窩功率放大器應用。它具有輸入和輸出匹配;高效率; 以及帶有無耳法蘭的熱增強封裝。
 

GTRA412852FC-V1

 

 

特征
GaN on SiC HEMT 技術
輸入輸出匹配
典型的脈沖連續(xù)波性能;4100兆赫;48 伏;10 μs 脈沖寬度;100 μs PP
P3dB 時的輸出功率 = 235 W
增益 = 10 分貝
效率 = 45%
能夠處理 10:1 VSWR @48 V;30 W (WCDMA) 輸出功率
人體模型 1A 類(根據(jù) ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標準

 

應用
多標準蜂窩功率放大器

 

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