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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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GTVA107001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: GTVA107001EC-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 典型的脈沖連續(xù)波性能 1030兆赫
  • 脈沖寬度 128 μs
  • 占空比 10%
  • 輸出功率 P3dB 890 W
  • IDQ 100 mA

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTVA107001EC 是一款 700 瓦 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),用于 960 至 1215 MHz 頻段。它具有輸入匹配功能;高效率; 和熱增強封裝;帶螺栓固定法蘭。
 

GTVA107001EC-V1

 

 

特征
輸入匹配
典型的脈沖連續(xù)波性能(AB 級);1030兆赫;50伏;128 μs 脈沖寬度;10% 占空比;輸出功率 P3dB = 890 W;排水效率 = 75%;增益 = 18 分貝
能夠承受 10:1 的負載失配(脈沖條件下 700 W 峰值功率下的所有相位角:50 V;100 mA IDQ;128 μs 脈沖寬度;10% 占空比
人體模型類 IC(根據(jù) ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
雷達放大器


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