特點(diǎn)
SCT2323和SCT2325的頻率分別為2A、1.1MHz和2.1MHz，
高達(dá)32V寬的同步降壓轉(zhuǎn)換器
輸入電壓范圍，完全集成130m?
高壓側(cè)MOSFET和70m?低壓側(cè)MOSFET
提供高效降壓DCDC轉(zhuǎn)換。
SCT2323和SCT2325采用峰值電流
集成補(bǔ)償?shù)哪Ｊ娇刂?br>網(wǎng)絡(luò)和輸出反饋電阻器網(wǎng)絡(luò)，
這使得該設(shè)備易于使用
使片外元件數(shù)量最小化。這個(gè)
SCT2323和SCT2325支持脈沖跳過(guò)
典型20uA超低調(diào)制（PSM）
靜態(tài)，1mA時(shí)效率達(dá)到80%
5mA輕載條件下為85%。
SCT2323和SCT2325是電磁的
抗干擾（EMI）降壓轉(zhuǎn)換器。這個(gè)
SCT2323和SCT2325具有頻率擴(kuò)展功能
1.1MHz抖動(dòng)范圍為±6%的頻譜（FSS）
開(kāi)關(guān)頻率和調(diào)制率1/512
切換頻率以減少傳導(dǎo)的EMI。
該轉(zhuǎn)換器具有專(zhuān)有設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器
抗開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)高頻的方案
振鈴而不犧牲MOSFET的導(dǎo)通和導(dǎo)通
關(guān)閉時(shí)間，進(jìn)一步消除高頻輻射
MOSFET硬開(kāi)關(guān)引起的EMI噪聲。
當(dāng)轉(zhuǎn)換器進(jìn)入PSM模式時(shí)，人工
開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)防振鈴電路是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的
設(shè)計(jì)用于解決輻射EMI噪聲
輕負(fù)載條件。
SCT2323和SCT2325提供輸出
電壓保護(hù)、逐周期峰值電流限制，
以及熱關(guān)機(jī)保護(hù)。該設(shè)備是
可采用薄型TSOT23-6封裝。
描述
?減少EMI，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)無(wú)振鈴
?3.8V-32V寬輸入電壓范圍
?高達(dá)2A的連續(xù)輸出負(fù)載電流
?3.3V±1%輸出電壓（SCT2323）
?5V±1%輸出電壓（SCT2325）
?完全集成130m?Rdson高端MOSFET
70m?Rdson低壓側(cè)MOSFET
?1uA停機(jī)電流
?20uA超低靜態(tài)電流
?1.1MHz開(kāi)關(guān)頻率，±6%
擴(kuò)頻FSS調(diào)制
?最小接通時(shí)間80ns
?可編程精度啟用閾值
UVLO閾值和滯后
?低壓差LDO操作
?輕負(fù)載下的脈沖跳過(guò)調(diào)制PSM
?4ms內(nèi)置軟啟動(dòng)時(shí)間
?160°C時(shí)的熱關(guān)斷保護(hù)
?提供TSOT23-6L封裝
