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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPP90R340C3-VB一款TO220封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPP90R340C3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 900V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 270mΩ@VGS=10V
  • ID 20A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IPP90R340C3-VB 產(chǎn)品簡介

IPP90R340C3-VB 是一款高電壓單N溝道功率MOSFET,封裝為TO220,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。它的最大漏源電壓為900V,適合處理高電壓環(huán)境中的應(yīng)用。該MOSFET 的柵源電壓最大為±30V,閾值電壓為3.5V。其導(dǎo)通電阻在VGS=10V時為270mΩ,能夠在高電流條件下保持較低的功率損耗。采用了先進(jìn)的超級結(jié)(Super Junction)多層外延(SJ_Multi-EPI)技術(shù),這款MOSFET在高電壓和高功率場景中提供優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性。IPP90R340C3-VB 是高壓電源轉(zhuǎn)換和高功率開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO220
- **類型**:單N溝道
- **VDS** (漏源電壓):900V
- **VGS** (柵源電壓):±30V
- **Vth** (閾值電壓):3.5V
- **RDS(ON)** (導(dǎo)通電阻):270mΩ@VGS=10V
- **ID** (漏極電流):20A
- **技術(shù)**:超級結(jié) (SJ_Multi-EPI) 技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C

IPP90R340C3-VB 的高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻使其在高功率和高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

IPP90R340C3-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域包括:

1. **高壓開關(guān)電源(SMPS)**:
  - 在高壓開關(guān)模式電源(如AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器)中,該MOSFET能夠承受高達(dá)900V的電壓,非常適合用于高電壓輸入的電源模塊,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定性。

2. **電力逆變器**:
  - 用于高壓逆變器模塊,如太陽能光伏逆變器或工業(yè)級逆變器。其高電壓耐受性和低導(dǎo)通電阻能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,同時保持系統(tǒng)的高效性和可靠性。

3. **高壓電機驅(qū)動**:
  - 適用于需要高電壓的電機驅(qū)動系統(tǒng),如電動汽車的電機驅(qū)動。IPP90R340C3-VB 能夠有效處理高電壓和高電流,確保電機的穩(wěn)定驅(qū)動和高效能。

4. **高壓負(fù)載開關(guān)**:
  - 在需要高電壓切換的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,例如在高壓電源系統(tǒng)中,該MOSFET 提供了高電壓切換能力和低導(dǎo)通損耗,適用于高功率負(fù)載的開關(guān)操作。

總的來說,IPP90R340C3-VB 的高電壓承受能力、低導(dǎo)通電阻和先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)使其在高壓電源轉(zhuǎn)換、電力逆變器、電機驅(qū)動和高壓負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域中表現(xiàn)出色。

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