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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IPW60R099CP-VB一款TO247封裝N-Channel場效應(yīng)MOS管

型號: IPW60R099CP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO247
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 75mΩ@VGS=10V
  • ID 47A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介  
**IPW60R099CP-VB** 是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝為TO247,專為高電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET具有650V的漏源電壓(VDS),±30V的柵源電壓(VGS)承受能力,并采用超級結(jié)(SJ)多層外延(Multi-EPI)技術(shù)。其導(dǎo)通電阻為75mΩ(在VGS為10V時),能夠處理最高47A的漏極電流。這使得該型號特別適用于高壓功率轉(zhuǎn)換、電源管理和電機驅(qū)動應(yīng)用,在這些高功率環(huán)境中提供了卓越的性能和可靠性。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明  
- **封裝**:TO247  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:650V  
- **柵源電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:75mΩ @ VGS = 10V  
- **漏極電流(ID)**:47A  
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI  
- **最大功率耗散**:取決于具體的散熱條件,TO247封裝設(shè)計支持較高的功率處理能力  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊  
1. **高壓開關(guān)電源(SMPS)**  
  IPW60R099CP-VB 在高壓開關(guān)模式電源(SMPS)中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于電力轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng),如計算機電源、服務(wù)器電源和工業(yè)電源模塊。其650V的高電壓耐受性和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高效電源轉(zhuǎn)換中提供穩(wěn)定的性能,適合用于高功率的電源設(shè)計和應(yīng)用。

2. **電機驅(qū)動系統(tǒng)**  
  在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,尤其是在高壓電動汽車、電動工具和工業(yè)電機驅(qū)動中,該MOSFET能夠處理高電流和高電壓。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻保證了電機驅(qū)動系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性,優(yōu)化了電機的性能和功率輸出。

3. **電力逆變器和電池管理**  
  IPW60R099CP-VB 也適合用于電力逆變器和電池管理系統(tǒng),如太陽能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)。其650V的高電壓承受能力和出色的開關(guān)性能使其在這些高電壓和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,提高了系統(tǒng)的效率和可靠性。

4. **高功率電子控制**  
  該MOSFET在各種高功率電子控制模塊中同樣表現(xiàn)出色,包括電源調(diào)節(jié)器、負(fù)載開關(guān)和功率放大器。其高電流和高電壓特性使其適用于需要高效開關(guān)和精確電力控制的場景,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和性能。

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