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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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WTK6680-VB一款SOP8封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào): WTK6680-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package SOP8
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
  • ID 13A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介(WTK6680-VB)

WTK6680-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,適用于中低電壓負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V,具備出色的開(kāi)關(guān)特性。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS = 4.5V 時(shí)為 11mΩ,VGS = 10V 時(shí)為 8mΩ,能提供優(yōu)異的導(dǎo)電性能,適合用于高效率的電源設(shè)計(jì)和開(kāi)關(guān)控制。最大漏極電流(ID)為 13A,使其在中等電流的負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)制造,能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)和高效能量轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、電池管理、智能硬件和通信設(shè)備等領(lǐng)域。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| **參數(shù)**                | **說(shuō)明**                                                                 |
|-------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **型號(hào)**                | WTK6680-VB                                                               |
| **封裝**                | SOP8                                                                     |
| **配置**                | 單極性 N 通道                                                           |
| **最大漏源電壓 (VDS)**  | 30V                                                                      |
| **柵源電壓 (VGS)**      | ±20V                                                                     |
| **閾值電壓 (Vth)**      | 1.7V                                                                     |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**  | 11mΩ(VGS=4.5V),8mΩ(VGS=10V)                                         |
| **最大漏極電流 (ID)**   | 13A                                                                      |
| **技術(shù)類(lèi)型**            | Trench 技術(shù)                                                              |

- **VDS**:最大漏源電壓為 30V,適用于低壓系統(tǒng),能夠高效地控制中低電壓電路中的負(fù)載。
- **VGS**:柵源電壓為 ±20V,符合大多數(shù)常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)電壓,適應(yīng)性強(qiáng),能在多種工作條件下高效工作。
- **Vth**:閾值電壓為 1.7V,能夠在較低的柵電壓下導(dǎo)通,提高開(kāi)關(guān)速度和效率。
- **RDS(ON)**:導(dǎo)通電阻在 VGS = 10V 時(shí)為 8mΩ,在 VGS = 4.5V 時(shí)為 11mΩ,具備低損耗、高效的導(dǎo)電性能。
- **ID**:最大漏極電流為 13A,適用于中等負(fù)載的電源開(kāi)關(guān)和負(fù)載控制。

### 3. 適用領(lǐng)域和模塊

WTK6680-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理**:由于其低導(dǎo)通電阻和高效率,WTK6680-VB 特別適用于電源管理模塊,尤其是在開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電源設(shè)計(jì)中,能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗、高效能量轉(zhuǎn)換。

- **便攜式設(shè)備**:該 MOSFET 可應(yīng)用于便攜式設(shè)備中,例如智能手機(jī)、平板電腦、無(wú)線(xiàn)耳機(jī)等,尤其在電池供電的應(yīng)用中,能夠有效控制功耗,延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。

- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,WTK6680-VB 能夠作為電池開(kāi)關(guān)和保護(hù)開(kāi)關(guān)使用,特別適用于電池充電和放電控制,優(yōu)化電池的使用壽命和效率。

- **智能硬件和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備**:WTK6680-VB 適用于智能硬件和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,如智能家居、智能傳感器等。其低功耗特性和高效率使其在這些設(shè)備中尤為重要,特別是在需要負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源控制的場(chǎng)景下。

- **自動(dòng)化控制和傳感器模塊**:在自動(dòng)化控制系統(tǒng)和傳感器模塊中,WTK6680-VB 可用作開(kāi)關(guān)元件,通過(guò)高效的電源管理實(shí)現(xiàn)信號(hào)控制和能源節(jié)省。

- **電動(dòng)工具和家用電器**:WTK6680-VB 在電動(dòng)工具、家電產(chǎn)品中的電源管理模塊中也有廣泛應(yīng)用,如電動(dòng)螺絲刀、無(wú)線(xiàn)吸塵器等。這些設(shè)備需要高效的功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制,WTK6680-VB 提供了理想的解決方案。

綜上所述,WTK6680-VB 作為一款性能優(yōu)異的 N 通道 MOSFET,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,特別是在低壓電源管理、便攜式設(shè)備、電池管理、智能硬件以及自動(dòng)化控制等領(lǐng)域,具備優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和高效能量轉(zhuǎn)換能力。

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