--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package SOP8
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 8mΩ@VGS=10V
- ID 13A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介(WTK6680-VB)
WTK6680-VB 是一款采用 SOP8 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,適用于中低電壓負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 30V,柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V,具備出色的開(kāi)關(guān)特性。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS = 4.5V 時(shí)為 11mΩ,VGS = 10V 時(shí)為 8mΩ,能提供優(yōu)異的導(dǎo)電性能,適合用于高效率的電源設(shè)計(jì)和開(kāi)關(guān)控制。最大漏極電流(ID)為 13A,使其在中等電流的負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該 MOSFET 采用 Trench 技術(shù)制造,能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)和高效能量轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、電池管理、智能硬件和通信設(shè)備等領(lǐng)域。
### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **說(shuō)明** |
|-------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **型號(hào)** | WTK6680-VB |
| **封裝** | SOP8 |
| **配置** | 單極性 N 通道 |
| **最大漏源電壓 (VDS)** | 30V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 11mΩ(VGS=4.5V),8mΩ(VGS=10V) |
| **最大漏極電流 (ID)** | 13A |
| **技術(shù)類(lèi)型** | Trench 技術(shù) |
- **VDS**:最大漏源電壓為 30V,適用于低壓系統(tǒng),能夠高效地控制中低電壓電路中的負(fù)載。
- **VGS**:柵源電壓為 ±20V,符合大多數(shù)常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)電壓,適應(yīng)性強(qiáng),能在多種工作條件下高效工作。
- **Vth**:閾值電壓為 1.7V,能夠在較低的柵電壓下導(dǎo)通,提高開(kāi)關(guān)速度和效率。
- **RDS(ON)**:導(dǎo)通電阻在 VGS = 10V 時(shí)為 8mΩ,在 VGS = 4.5V 時(shí)為 11mΩ,具備低損耗、高效的導(dǎo)電性能。
- **ID**:最大漏極電流為 13A,適用于中等負(fù)載的電源開(kāi)關(guān)和負(fù)載控制。
### 3. 適用領(lǐng)域和模塊
WTK6680-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理**:由于其低導(dǎo)通電阻和高效率,WTK6680-VB 特別適用于電源管理模塊,尤其是在開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等電源設(shè)計(jì)中,能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗、高效能量轉(zhuǎn)換。
- **便攜式設(shè)備**:該 MOSFET 可應(yīng)用于便攜式設(shè)備中,例如智能手機(jī)、平板電腦、無(wú)線(xiàn)耳機(jī)等,尤其在電池供電的應(yīng)用中,能夠有效控制功耗,延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。
- **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:在電池管理系統(tǒng)中,WTK6680-VB 能夠作為電池開(kāi)關(guān)和保護(hù)開(kāi)關(guān)使用,特別適用于電池充電和放電控制,優(yōu)化電池的使用壽命和效率。
- **智能硬件和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備**:WTK6680-VB 適用于智能硬件和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,如智能家居、智能傳感器等。其低功耗特性和高效率使其在這些設(shè)備中尤為重要,特別是在需要負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源控制的場(chǎng)景下。
- **自動(dòng)化控制和傳感器模塊**:在自動(dòng)化控制系統(tǒng)和傳感器模塊中,WTK6680-VB 可用作開(kāi)關(guān)元件,通過(guò)高效的電源管理實(shí)現(xiàn)信號(hào)控制和能源節(jié)省。
- **電動(dòng)工具和家用電器**:WTK6680-VB 在電動(dòng)工具、家電產(chǎn)品中的電源管理模塊中也有廣泛應(yīng)用,如電動(dòng)螺絲刀、無(wú)線(xiàn)吸塵器等。這些設(shè)備需要高效的功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制,WTK6680-VB 提供了理想的解決方案。
綜上所述,WTK6680-VB 作為一款性能優(yōu)異的 N 通道 MOSFET,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,特別是在低壓電源管理、便攜式設(shè)備、電池管理、智能硬件以及自動(dòng)化控制等領(lǐng)域,具備優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和高效能量轉(zhuǎn)換能力。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛