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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2325-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2325-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2325-VB 產(chǎn)品簡介

K2325-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓應用而設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為650V,適合于需要處理高電壓的場合。該MOSFET 的柵源電壓(VGS)范圍為±30V,確保在不同的驅(qū)動條件下都能可靠工作。K2325-VB 的門限電壓(Vth)為3.5V,導通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時為2560mΩ,這使得其在高壓環(huán)境下也能提供良好的電流承載能力(ID高達4A)。此器件采用Plannar技術(shù),具有較強的耐壓能力,廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源以及高壓電機驅(qū)動等應用。

### 二、K2325-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)類型**: Plannar
- **最大耗散功率**: 50W (典型值)
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **輸入電容 (Ciss)**: 1,200pF (典型值)
- **輸出電容 (Coss)**: 100pF (典型值)
- **反向恢復時間 (trr)**: 100ns (典型值)

### 三、K2325-VB 應用領(lǐng)域及模塊示例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  K2325-VB 非常適合用于開關(guān)電源設(shè)計,尤其是在高電壓應用中。由于其高達650V的耐壓特性,它能夠承受高電壓輸入,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率,降低功耗并延長電源設(shè)備的使用壽命。

2. **電機控制**  
  在電機驅(qū)動應用中,K2325-VB 可用于高壓直流電動機和交流電動機的控制。其優(yōu)良的導通電阻特性使得電機啟動和運行時的能量損耗降低,保證電動機在高負載情況下的可靠性和穩(wěn)定性。

3. **電力轉(zhuǎn)換器**  
  該MOSFET 在電力轉(zhuǎn)換器中也有廣泛應用,能夠用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器。它的高耐壓特性和較低的導通電阻使其成為高效能電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計的理想選擇,有助于實現(xiàn)高效能和高穩(wěn)定性的電力傳輸。

4. **照明控制系統(tǒng)**  
  K2325-VB 適用于LED照明和其他高壓照明控制系統(tǒng),能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,確保照明系統(tǒng)的安全性和可靠性。其在不同溫度條件下的優(yōu)良性能使其在照明領(lǐng)域中成為一種理想的開關(guān)元件。

綜上所述,K2325-VB 是一款高性能的MOSFET,憑借其高壓特性和低功耗設(shè)計,廣泛應用于開關(guān)電源、電機控制、電力轉(zhuǎn)換器以及照明控制等多個領(lǐng)域,為現(xiàn)代電力電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。

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