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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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TF8N60-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: TF8N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**TF8N60-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**

TF8N60-VB是一款高耐壓N通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為中高電壓電源控制和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET具有650V的漏源電壓(VDS),能夠承受較高電壓的工作環(huán)境。其門極閾值電壓(Vth)為3.5V,確保能夠在較低的門極電壓下開啟。TF8N60-VB的導通電阻(RDS(ON))為830mΩ(VGS=10V),適用于中等電流和較高電壓的應(yīng)用。最大漏電流(ID)為10A,適合于需要中等功率和高電壓的場合。TF8N60-VB采用Plannar技術(shù),提供穩(wěn)定的開關(guān)特性和較高的耐壓能力,廣泛應(yīng)用于電力管理、電源轉(zhuǎn)換和電力驅(qū)動系統(tǒng)。

**詳細參數(shù)說明**

- **封裝**:TO220F
- **配置**:單極N通道
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(門源電壓)**:±30V
- **Vth(門極閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)**:830mΩ@VGS=10V
- **ID(最大漏電流)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar技術(shù)

**適用領(lǐng)域與模塊舉例**

TF8N60-VB的650V耐壓使其適用于需要高電壓電力管理和開關(guān)控制的領(lǐng)域。盡管其導通電阻較高,但它仍然能夠在一些中等功率、低電流負載的應(yīng)用中提供可靠的性能。TF8N60-VB廣泛應(yīng)用于AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源模塊、過載保護系統(tǒng)等電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。

在電力驅(qū)動系統(tǒng)中,如電動工具、家電、LED照明驅(qū)動器和工業(yè)控制系統(tǒng)等,TF8N60-VB能夠提供穩(wěn)定的電流開關(guān)控制,尤其是在要求較高電壓和中等電流的環(huán)境中。其Plannar技術(shù)使得該MOSFET在高電壓應(yīng)用中具有良好的穩(wěn)定性和耐用性,盡管在高電流應(yīng)用下導通電阻相對較高,但仍能夠滿足多數(shù)中低功率應(yīng)用的要求。

此外,TF8N60-VB還適用于不間斷電源(UPS)系統(tǒng)和功率控制模塊等電力傳輸系統(tǒng)。其650V耐壓和較低的導通電阻使其適合用于電壓要求較高的電力轉(zhuǎn)換和電源管理應(yīng)用,特別是在需要較高開關(guān)效率和可靠性的系統(tǒng)中。

總之,TF8N60-VB適合應(yīng)用于中電壓電力轉(zhuǎn)換、電源管理模塊、驅(qū)動系統(tǒng)和UPS等領(lǐng)域,提供穩(wěn)定、可靠的開關(guān)控制和電壓管理能力。

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