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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR9024TF-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR9024TF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介
IRFR9024TF-VB是一款單P溝道MOSFET,采用TO-252封裝,設(shè)計用于滿足高電壓和大電流應(yīng)用的需求。該MOSFET具有-60V的漏源電壓(VDS)和最大-30A的漏極電流(ID),能夠在高電壓環(huán)境下提供可靠的開關(guān)性能。IRFR9024TF-VB采用了先進(jìn)的Trench技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時為61mΩ,能夠減少功耗并提高能效,廣泛適用于電源管理、汽車電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO-252
- **配置**:單P溝道
- **漏源電壓(VDS)**:-60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 72mΩ @ VGS=4.5V
 - 61mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:-30A
- **技術(shù)**:Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C至+175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
IRFR9024TF-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**:該MOSFET適用于高電流的電源管理系統(tǒng),尤其是在DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)模式電源中,其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低開關(guān)損耗,提升電源效率。

2. **汽車電子**:在電動汽車和傳統(tǒng)汽車的電池管理系統(tǒng)和功率控制模塊中,IRFR9024TF-VB提供了穩(wěn)定的電流處理能力,適應(yīng)高電壓和高電流的苛刻要求,確保電池和電動系統(tǒng)的安全運行。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:該器件可用于工業(yè)自動化控制,如高電流開關(guān)和負(fù)載調(diào)節(jié),在需要高效、低損耗的工業(yè)電源和負(fù)載開關(guān)場景中表現(xiàn)出色。

4. **消費電子設(shè)備**:在消費類電子設(shè)備中,如電機驅(qū)動、電源調(diào)節(jié)模塊,IRFR9024TF-VB MOSFET能夠幫助提供可靠的電流控制,確保設(shè)備的高效能和穩(wěn)定運行。

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