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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K1541L-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K1541L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K1541L-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K1541L-VB是一款高壓N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),具備650V的最大漏極-源極電壓能力,能夠承載高達(dá)7A的漏極電流。其采用的SJ_Multi-EPI技術(shù)確保了其在高電壓條件下的優(yōu)良性能,導(dǎo)通電阻為700mΩ(在VGS=10V時(shí)),能夠有效降低能量損耗。K1541L-VB的高可靠性和穩(wěn)定性使其成為各種電力電子設(shè)備中的理想選擇。

### K1541L-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:700mΩ (在VGS=10V時(shí))
- **最大漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)類型**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源(SMPS)**:
  K1541L-VB在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適合用于電信設(shè)備和工業(yè)電源,為系統(tǒng)提供高效能量轉(zhuǎn)換,確保設(shè)備在650V高壓下穩(wěn)定工作。

2. **逆變器**:
  該MOSFET可用于太陽能逆變器和風(fēng)能逆變器中,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,支持高電壓運(yùn)行,有助于提升可再生能源系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  K1541L-VB在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中表現(xiàn)良好,能夠在高電壓條件下實(shí)現(xiàn)高電流輸出,適用于工業(yè)設(shè)備及家用電器,確保高負(fù)載情況下的穩(wěn)定性。

4. **電力電子裝置**:
  此MOSFET可以作為開關(guān)元件應(yīng)用于電力管理系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng)和充電器中,確保在高壓環(huán)境下的安全與穩(wěn)定運(yùn)行,提高系統(tǒng)的整體效率。

通過這些應(yīng)用,K1541L-VB展示了其在高壓電力電子設(shè)備中的重要性,為多個(gè)行業(yè)提供了高效、可靠的解決方案。

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