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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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GTVA212701FA-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: GTVA212701FA-V2

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 占空比 10%
  • 輸出功率 P3dB 300 W
  • 效率 68.5%
  • 增益 17.5 分貝
  • (WCDMA) 輸 56.2 W

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
GTVA212701FA 是一款 270 瓦 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),用于 2110 至 2200 MHz 頻段。它具有輸入匹配功能;高效率; 和一個熱增強(qiáng)的無耳封裝。
 

GTVA212701FA-V2

 

 

特征
輸入匹配
典型的脈沖連續(xù)波性能;2180兆赫;48 伏;10% 占空比
輸出功率 P3dB 300 W
效率 68.5%
增益 17.5 分貝
能夠處理 10:1 VSWR @ 48 V;56.2 W (WCDMA) 輸出功率
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用
多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器


相關(guān)型號
GTVA212701FA-V2
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GTVA262701FA-V2
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GTVA263202FC-V1
GTVA311801FA-V1
GTVA355001EC
LTN / GTVA101K42EV-V1
LTN / GTVA311801FA-V1
LTN/GTVA311801FA-V1
LTN/GTVA355001EC-V1
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PTFC261402FC-V1
PTFC262157FH-V1
PTFC262808FV-V1
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PTMC210404MD-V2
PTNC210604MD-V2
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