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WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)

型號: WSGPA01-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 工作頻率: 高達 5 GHz
  • P3dB: 高達 10 W
  • 電源電壓: 高達 50 V
  • 技術(shù) GaN on SiC HEMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
WSGPA01 是一款 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA),設計用于高達 5 GHz 的應用。該器件在高達 50 V 的電源電壓下工作,可實現(xiàn) 10 W 的 P3dB。它采用 3 mm X 4 mm DFN 封裝。雖然它專為具有降低波峰因數(shù)和數(shù)字預失真 LTE 或 5G NR 信號的通信基礎設施應用而設計;它可能適用于頻率高達 5 GHz 的其他應用;僅受其最大工作條件的限制。

WSGPA01-V1

 


特征
GaN on SiC HEMT 技術(shù)
工作頻率:高達 5 GHz
P3dB:高達 10 W
電源電壓:高達 50 V
無鉛且符合 RoHS 標準


應用
多標準蜂窩功率放大器


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