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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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PTVA102001EA-V1 大功率射頻 LDMOS FET 200 W CREE

型號: PTVA102001EA-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VSWR 10:1
  • 輸出功率 200 W (CW)
  • 集成 ESD 保護(hù)
  • 熱效率 低熱阻

--- 產(chǎn)品詳情 ---

描述
PTVA102001EA 是一款 200 瓦 LDMOS FET,旨在用于 960 至 1600 MHz 頻段的功率放大器應(yīng)用。特點(diǎn)包括高增益和帶有螺栓固定法蘭的熱增強(qiáng)封裝。采用先進(jìn)的 LDMOS 工藝制造;該器件提供出色的熱性能和卓越的可靠性。

PTVA102001EA-V1

 


特征
輸入匹配
能夠處理 10:1 VSWR @50 V;200 W (CW) 輸出功率
集成 ESD 保護(hù)
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)


應(yīng)用
960 至 1600 MHz 頻段的功率放大器


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