SG36F30S-D 高壓塑料模 GaN HEMT

GaN HEMT

型號(hào)： SG36F30S-D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號(hào) SG36F30S-D
名稱單路徑設(shè)備
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的SG36F30S-D GaN HEMT提供高效率、易于匹配、更大具有50V操作的高功率放大器的一致性和寬帶寬，并且給你更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合用于3.6GHz W-CDMA和LTE設(shè)計(jì)要求，因?yàn)樗峁┝烁咴鲆?、長(zhǎng)期可靠性和易用性。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是微電池的驅(qū)動(dòng)階段和最終階段基站收發(fā)信臺(tái)。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號(hào) SG36F30S-D
名稱單路徑設(shè)備
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

型號(hào)參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：45.5dBm（典型值）@Psat
高效率：52%（典型值）@Psat
功率增益：17dB（典型值）@f=3.6GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性

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