SGN19C320I2D 高壓大功率GaN HEMT

GaN HEMT 大功率高壓

型號： SGN19C320I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 SGN19C320I2D
名稱用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN19C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合用于1.8至2.0GHz LTE設計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 SGN19C320I2D
名稱用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地日本
封裝 SMT

型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：55dBm（典型值）@Psat
高效率：65%（典型值）@Psat
線性增益：19.0dB（典型值）@f=1.9GHz
經(jīng)驗證的可靠性
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