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SGN21C320I2D 高壓 大功率GaN HEMT

型號: SGN21C320I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 SGN21C320I2D
  • 名稱 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGN21C320I2D

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN21C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作,并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合用于2.1GHz LTE設計要求,因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    SGN21C320I2D
名稱                    用于基站的功率GaN>GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:55dBm(典型值)@Psat
高效率:65%(典型值)@Psat
線性增益:18.5dB(典型值)@f=2.14GHz
經(jīng)驗證的可靠性
僅適用于Doherty放大器的峰值級


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