富士通嵌入FRAM的RFID射頻芯片MB89R118C的優(yōu)點(diǎn):

? 抗金屬，可在金屬環(huán)境中使用。

? 可耐200度高溫。

? 高速數(shù)據(jù)寫入：可提高數(shù)據(jù)寫入時(shí)的效率。

? 穩(wěn)定的通信距離：低功耗模式寫入工作，實(shí)現(xiàn)相同的讀/寫通信距離。

? 大容量內(nèi)置存儲(chǔ)單元：記錄信息于電子標(biāo)簽，實(shí)現(xiàn)追溯應(yīng)用所需的大容量內(nèi)存單元。

? 讀寫工作高耐久性：保證最高1萬億次的讀/寫工作，實(shí)現(xiàn)標(biāo)簽的長期使用和重復(fù)使用。

? 符合國際標(biāo)準(zhǔn)：富士通半導(dǎo)體RFID LSI產(chǎn)品系列符合ISO15693和ISO18000-3。

RFID LSI陣容：MB97R8110、MB97R8120、MB97R8050、MB89R112、MB89R118C、MB89R119B

Feature of MB89R118C

1、2K Bytes FRAM (8 Bytes Block, 256Blocks)

2、13.56MHz: ISO/IEC15693,18000-3(Mode1)

3、ASK 10 / 100% Modulation, 1 out of 4 Data Coding

4、Fast Read/Write Commands (Data rate: 52.97kbps

5、Input Capacitance 24 / 96pF

6、Fast Writing: 1.4sec (2K bytes)