MOS管的基本參數(shù)，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導(dǎo)通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項，然而在高速應(yīng)用中，開關(guān)速度這個指標(biāo)比較重要。

　　上圖四項指標(biāo)，項是導(dǎo)通延時時間，第二項是上升時間，第三項是關(guān)閉延時時間，第四項是下降時間。定義如下圖：

　　在高速H橋應(yīng)用中，MOS管內(nèi)部的反向并聯(lián)寄生二極管的響應(yīng)速度指標(biāo)Trr，也就是二極管的反向恢復(fù)時間這個指標(biāo)很重要，否則容易炸機(jī)，下圖為高速二極管。

　　高速下，二極管也不是理想的，二極管導(dǎo)通后，PN節(jié)中充滿了電子和空穴，當(dāng)瞬間反向加電的時候，需要時間恢復(fù)截止，這個類似一扇門打開了，需要時間關(guān)上，但在高速下，這個關(guān)上的時間太長，就會導(dǎo)致H橋上下管子導(dǎo)通而燒壞。所以在高速應(yīng)用中，直接因為MOS管工藝寄生的二極管的反向恢復(fù)時間太長，所以需要用特殊的工藝制作實現(xiàn)高速的內(nèi)置二極管，但哪怕特殊工藝制作的，其性能也達(dá)不到獨立的高速二極管性能，只是比原MOS管寄生的指標(biāo)強一些而已，但已經(jīng)滿足大部分軟開關(guān)的需求了，500KHz下沒問題。比如Infineon的C6系列，后綴帶CFD的管子，內(nèi)部的二極管就是高速的。

　　若有些場合需要更高速的二極管，而內(nèi)置的二極管性能達(dá)不到，則需要特殊的處理方式，MOS管先串聯(lián)二極管，再外部并二極管，這樣子實現(xiàn)，可以應(yīng)用于頻率超過500KHz的場合。