保護三極管的基極
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這次出現(xiàn)的問題是使用了ULN2003，由于直接用它的輸入級接入模塊的輸入端，因此出現(xiàn)了問題。
由于電纜上存在分布電感和分布電容，因此很容易出現(xiàn)耦合，在ISO7637的實驗中，存在高頻脈沖250V，200ns
我們必須加入限流電阻，并且與RB和分壓，或者加入其他抗瞬態(tài)的器件，這樣的設(shè)計是非常耗成本的，因此一般可以采用分立的器件。
最好不用用晶體管的基極直接面對輸入，這回造成很大的隱患。
另外一個錯誤很常見，就是直接把晶體管的基極接至MCU的輸出管腳上面，前面已經(jīng)驗算過MCU的輸出能力：單片機IO口的驅(qū)動能力
這很明顯的造成了晶體管Ib過大，引起過大的損耗。
因此如果遇到分立的晶體管，注意驗證它的基極，是否直接接MCU，是否內(nèi)部含有限流電阻（Build-in），否則很可能造成過熱和損壞。
這里順便說明一下，三極管由于有熱擊穿效應(yīng)，所以建議把余量放大些，60%～75%，否則很有可能造成損壞。
由于電纜上存在分布電感和分布電容，因此很容易出現(xiàn)耦合，在ISO7637的實驗中，存在高頻脈沖250V，200ns
我們必須加入限流電阻，并且與RB和分壓，或者加入其他抗瞬態(tài)的器件，這樣的設(shè)計是非常耗成本的，因此一般可以采用分立的器件。
最好不用用晶體管的基極直接面對輸入，這回造成很大的隱患。
另外一個錯誤很常見，就是直接把晶體管的基極接至MCU的輸出管腳上面，前面已經(jīng)驗算過MCU的輸出能力：單片機IO口的驅(qū)動能力
這很明顯的造成了晶體管Ib過大，引起過大的損耗。
因此如果遇到分立的晶體管，注意驗證它的基極，是否直接接MCU，是否內(nèi)部含有限流電阻（Build-in），否則很可能造成過熱和損壞。
這里順便說明一下，三極管由于有熱擊穿效應(yīng)，所以建議把余量放大些，60%～75%，否則很有可能造成損壞。