英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護(hù)方案探討2026-04-01 17:10

  

  在設(shè)計(jì)常見的DCDC或DCAC等電路時(shí)，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護(hù)的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時(shí)間，足以應(yīng)付大部分短路工況。然而，對(duì)于SiCMOSFET器件來說，問題變得復(fù)雜了。因?yàn)樵谙嗤碾娏鞯燃?jí)下，SiCMOSFET的短路耐受時(shí)間通常比IGBT小很多。這主要是因?yàn)镾iCMOSFET的芯片尺寸比傳統(tǒng)的硅基器件小很多，同時(shí)非常薄的外延層使

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• 新品 | 儲(chǔ)能系統(tǒng)EconoPACK™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT 1200V H7模塊2026-03-30 17:06

  

  新品儲(chǔ)能系統(tǒng)EconoPACK3TRENCHSTOPIGBT1200VH7模塊兩款新型EconoPACK3B模塊采用1200V/500A三電平NPC1拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，一款集成NTC溫度傳感器和TRENCHSTOPIGBT7芯片，一款采用SiC二極管、TRENCHSTOPIGBT7芯片和集成NTC溫度傳感器。產(chǎn)品型號(hào)：■F3L500R12N3H7_B66■F3L50

  EconoPACK IGBT 儲(chǔ)能系統(tǒng) 2262瀏覽量

• 英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設(shè)計(jì)要點(diǎn)2026-03-26 17:34

  

  在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領(lǐng)軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域的技術(shù)積淀，推出了CoolSiCMOSFETG2系列產(chǎn)品，以全方位的性能突破，重新定義了SiCMOSFET的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電等關(guān)鍵領(lǐng)域注入強(qiáng)勁動(dòng)力。相比于G1單管器件僅

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• 新品 | 英飛凌XHP™ 2系列新增2300V IGBT模塊2026-03-23 17:05

  

  新品英飛凌XHP2系列新增2300VIGBT模塊英飛凌XHP2系列新增2300V產(chǎn)品，順應(yīng)可再生能源等應(yīng)對(duì)更高直流母線電壓的趨勢(shì)。該模塊額定值為2300V/1400A，采用TRENCHSTOPIGBT7芯片技術(shù)，在6kV電氣隔離電壓下，為高功率應(yīng)用提供了卓越的功率密度和效率?？蛇x預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料TIM版本，以簡(jiǎn)化組裝并優(yōu)化散熱性能。產(chǎn)品型號(hào)：■FF1400R

  IGBT 芯片 英飛凌 1948瀏覽量

• 新品 | 英飛凌600V CoolGaN™ Drive HB G5集成驅(qū)動(dòng)器2026-03-19 17:04

  

  新品英飛凌600VCoolGaNDriveHBG5集成驅(qū)動(dòng)器CoolGaNDriveHB600VG5系列產(chǎn)品，在一個(gè)小巧的6x8TFLGA-27封裝中，集成了一個(gè)由兩個(gè)600VCoolGaNG5晶體管構(gòu)成的半橋功率級(jí)、一個(gè)電平移位柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)自舉二極管。產(chǎn)品型號(hào)：■IGI60L1414B1M■IGI60L2727B1M■IGI60L5050B1M產(chǎn)品特

  GaN 英飛凌 驅(qū)動(dòng)器 869瀏覽量

• 英飛凌第二代1200V CoolSiC™ MOSFET品質(zhì)因數(shù)(FOM)介紹2026-03-18 17:06

  

  品質(zhì)因數(shù)FOM是半導(dǎo)體性能的量化指標(biāo)之一。MOSFET的FOM由漏-源導(dǎo)通電阻與器件的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)的乘積得出。FOM值越低，器件性能越好。如下是對(duì)SiCMOSFET具有重要意義的品質(zhì)因數(shù)：RDS(on)*Area:這是最常用的FOM，它代表了MOSFET技術(shù)的進(jìn)步RDS(ON)×Qg:綜合反映靜態(tài)導(dǎo)通損耗與柵極驅(qū)動(dòng)損耗，是器件選型與代際對(duì)比的基礎(chǔ)指標(biāo)RDS

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• 直播報(bào)名丨2026年寬禁帶開發(fā)者論壇邀請(qǐng)函2026-03-16 17:07

  

  多年來，英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇始終是碳化硅與氮化鎵領(lǐng)域?qū)＜揖奂惶玫哪甓仁?huì)。2026年3月17日（中國(guó)時(shí)間16點(diǎn)開始），我們將在慕尼黑演播室為您全程直播專業(yè)演講內(nèi)容。我們的部門總裁Dr.PeterWawer（零碳工業(yè)功率事業(yè)部）和AdamWhite（電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部）的歡迎演講將為活動(dòng)拉開帷幕，并就市場(chǎng)發(fā)展和英飛凌寬禁帶戰(zhàn)略提供深刻洞見。掃碼報(bào)名，預(yù)約

  寬禁帶半導(dǎo)體 碳化硅 英飛凌 914瀏覽量

• 新品 | 采用頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 產(chǎn)品擴(kuò)展2026-03-13 17:09

  

  新品CoolSiCG21200VMOSFET采用頂部散熱Q-DPAK封裝第二代CoolSiC1200VMOSFET，采用頂部散熱Q-DPAK封裝，提供4mΩ和5mΩ兩種導(dǎo)通電阻規(guī)格，廣泛適用于的工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)汽車充電、光伏逆變器、不間斷電源、固態(tài)斷路器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、人工智能以及商用電動(dòng)車等。Q-DPAK封裝憑借其卓越的熱性能簡(jiǎn)化了組裝流程，降低系統(tǒng)成本。與

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• 英飛凌繼續(xù)登頂全球微控制器市場(chǎng)榜首，進(jìn)一步鞏固領(lǐng)先地位2026-03-12 17:07

  

  在整體市場(chǎng)小幅下滑的背景下，2025年市場(chǎng)份額達(dá)到23.2%（2024年為21.4%）集成汽車以太網(wǎng)以進(jìn)一步強(qiáng)化面向軟件定義汽車的微控制器業(yè)務(wù)，并為人形機(jī)器人領(lǐng)域開辟增長(zhǎng)機(jī)遇英飛凌為微控制器產(chǎn)品組合做好前瞻布局，以滿足未來網(wǎng)絡(luò)安全需求，如后量子加密全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司進(jìn)一步鞏固其在全球微控制器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。根據(jù)Omdia

  以太網(wǎng) 微控制器 英飛凌 1349瀏覽量

• 巧妙分離電氣通路與散熱通路的碳化硅Q-DPAK頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)極致功率密度2026-03-11 17:08

  

  英飛凌CoolSiCMOSFET1200VG2系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的Q-DPAK頂部冷卻封裝，針對(duì)高功率密度與高溫運(yùn)行場(chǎng)景優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于電動(dòng)汽車充電、光伏、UPS、固態(tài)斷路器、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及AI等領(lǐng)域。我們現(xiàn)推出IMCQ120R017M2H與IMCQ120R034M2H兩款器件免費(fèi)樣品試用活動(dòng)，誠(chéng)邀工程師、研發(fā)團(tuán)隊(duì)及行業(yè)小伙伴們親身體驗(yàn)！為什么選擇Q-DPAK封裝

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