英飛凌工業(yè)半導體文章

• IPAC 2026雙技術峰會報名火熱，重磅嘉賓邀你共赴技術盛宴2026-04-24 08:03

  

  IPAC雙技術峰會特別邀請到英飛凌與業(yè)內權威技術專家，他們將憑借深厚的專業(yè)知識和豐富的實踐經驗，為你深入剖析碳化硅（SiC）技術的未來發(fā)展方向與詳細規(guī)劃，同時全面解讀SiC在熱門應用領域的行業(yè)動態(tài)與技術前沿趨勢。英飛凌碳化硅零碳應用技術大會時間：2026年5月22日地點：深圳特邀嘉賓：Dr.PeterFriedrichs碳化硅技術創(chuàng)新專家英飛凌科技未來社會將

  SiC 碳化硅 英飛凌 172瀏覽量

• SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇2026-04-22 17:05

  

  01SiCMOSFET的體二極管及其關鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiCMOSFET都采用垂直導電結構，其縱向（從漏極到源極）的層狀結構是通用的，如下圖所示：圖1.溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiCMOSFET圖2.平面柵型MOSFETN+襯底(Substra

  MOSFET SiC 體二極管 305瀏覽量

• 新品 | CoolMOS™ CFD7 SJ高壓超結MOSFET 650V系列2026-04-20 17:04

  

  新品CoolMOSCFD7SJ高壓超結MOSFET650V系列650VCoolMOSCFD7是英飛凌最新高壓超結MOSFET技術，集成快速體二極管，完善了CoolMOS7系列產品，CoolMOSCFD7具備更低的柵極電荷(QG)、優(yōu)化的關斷特性，其反向恢復電荷(QRR)較競品最多可降低69%，并擁有業(yè)界最低的反向恢復時間(trr)，底部散熱封裝最大程度降低導

  MOS MOSFET 英飛凌 742瀏覽量

• IPAC直播間丨英飛凌面向大功率組串式光伏的EasyHD3產品與應用2026-04-16 17:05

  

  光伏系統(tǒng)在降低碳排放、提升電網可再生能源占比方面發(fā)揮著重要作用。在組串式光伏逆變器應用中，功率密度與系統(tǒng)效率不斷提高的需求，持續(xù)推動著功率半導體器件的進步，英飛凌全新EasyHD3系列產品正是為了實現更高功率密度和更高效率的目標而推出的重磅產品。2026年4月28日，IPAC直播間將為您介紹英飛凌面向組串式光伏的全新EasyHD3系列產品。請大家鎖定頻道，趕

  光伏 半導體器件 英飛凌 1181瀏覽量

• SiC MOSFET的并聯(lián)設計要點2026-04-15 18:19

  

  英飛凌碳化硅應用技術大會即將火熱開啟，聚焦前沿技術，探討零碳未來，點擊下方圖片獲取更多詳情！SiCMOSFET的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導通電阻等因素限制，常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培，而軌道交通、新能源并網、高壓逆變器等場景，往往需要千安級的電流輸出，單管無法滿足。因此，SiCMOSFET的并聯(lián)應用的場景越來越普遍。不管是SiCMOSFE

  MOSFET SiC 芯片 298瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬電距離封裝2026-04-13 17:04

  

  新品CoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件采用TO-2474pin高爬電距離封裝英飛凌采用高爬電距離封裝的TO-2474pinCoolSiCMOSFET1200VG27mΩ分立器件，在第一代技術優(yōu)勢基礎上實現顯著提升，為更高性價比、高效率、緊湊型、易設計且可靠的系統(tǒng)提供先進解決方案。該器件在硬開關與軟開關拓撲中均展現出優(yōu)異性能，廣泛適用于各類

  SiC 分立器件 英飛凌 898瀏覽量

• IPAC大會全面升級，2026年開啟雙技術峰會！2026-04-10 09:07

  

  自2014年首屆舉辦以來，IPAC英飛凌零碳工業(yè)應用技術大會已走過十二載征程。我們始終以“驅動工業(yè)低碳轉型”為使命，深耕零碳技術領域，累計吸引上萬名行業(yè)精英、專家學者及企業(yè)代表參與，成為業(yè)內最具影響力的標桿盛會。2026年，IPAC大會全面升級，開啟雙技術峰會新篇章！為進一步聚焦零碳技術前沿，英飛凌將于2026年首次推出兩大主題技術大會，誠邀您共襄盛舉：英飛

  工業(yè) 碳化硅 英飛凌 418瀏覽量

• 英飛凌與為光能源深度攜手，共筑固態(tài)變壓器（SST）高可靠新未來2026-04-09 17:06

  

  近日，英飛凌科技(以下簡稱“英飛凌”)與西安為光能源科技有限公司（以下簡稱“為光能源”）正式達成深度合作，攜手開啟能源技術革新新篇章。雙方將依托英飛凌領先的1200VTRENCHSTOPIGBT7及CoolSiCMOSFETG2碳化硅分立器件技術，賦能為光能源研發(fā)更緊湊、高效的通用固態(tài)變壓器（SST）產品，大幅提升其在儲能系統(tǒng)與充電樁領域的應用效能。雙方還計

  SST 變壓器 英飛凌 855瀏覽量

• 溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解2026-04-08 17:31

  

  對于我國的電力電子界來說，固態(tài)變壓器（SST）并非是一個全新的話題，在軌道交通、電網合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸，SST曾經的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統(tǒng)概念的普及，和未來智能電網的電力潮流雙向流動，讓SST的商業(yè)價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW

  MOSFET SiC SST 變壓器 177瀏覽量

• 新品 | EasyPACK™ 2B TRENCHSTOP™ IGBT5 650V H5模塊，專為暖通空調與熱泵設計2026-04-07 17:05

  

  新品EasyPACK2BTRENCHSTOPIGBT5650VH5模塊，專為暖通空調與熱泵設計EasyPACK2B650V,35A模塊采用TRENCHSTOP5H5技術，可以用在維也納整流器中，集成NTC溫度傳感器，提供焊接式引腳和PressFIT壓接式引腳可選，適用于變頻驅動與熱泵應用。產品型號：■FS3L35R07W2H5_40■FS3L35R07W2H

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