深圳市浮思特科技有限公司文章

• 探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管2024-10-31 11:26

  

  在當(dāng)今科技迅速發(fā)展的時(shí)代，電力電子技術(shù)正扮演著越來越重要的角色。如何提高電力設(shè)備的效率和可靠性，成為了眾多工程師和設(shè)計(jì)師們關(guān)注的焦點(diǎn)。而特瑞諾(trinno)全新推出的TGH80N65F2DSIGBT單管，正是為滿足這一需求而生。TGH80N65F2DS是一款具有650V和80A額定值的IGBT單管，采用了TO-247封裝，結(jié)合了先進(jìn)的細(xì)溝槽柵極場(chǎng)截止(FS

  IGBT 單管 電力 1231瀏覽量

• 德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，展現(xiàn)自有制造能力新高度2024-10-30 11:59

  

  德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會(huì)津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，此舉標(biāo)志著該公司在GaN半導(dǎo)體自有制造能力上的前所未有的四倍增長(zhǎng)。這一進(jìn)展不僅強(qiáng)化了TI在半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，也為新一代電子產(chǎn)品的高效能提供了有力的支持。氮化鎵作為硅(Si)的替代材料，因其在能源效率和功率密度方面的顯著優(yōu)勢(shì)而受到越來

  功率半導(dǎo)體 德州儀器 氮化鎵 915瀏覽量

• 被動(dòng)元件：電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?2024-10-30 11:57

  

  在電路中使用三種類型的被動(dòng)元件：電阻器、電感器和電容器。被動(dòng)元件意味著這些元件在電壓或電流波動(dòng)時(shí)，其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件，對(duì)電壓和電流的反應(yīng)是非線性的。二極管、晶體管和熱電子閥是有源元件的例子。電阻器、電感器和電容器根據(jù)用途有不同的樣式和類型。電阻器電阻器阻礙電流的流動(dòng)，更具體地說，阻礙電流的流動(dòng)。在此過程中，電阻器會(huì)導(dǎo)致電壓下降并散發(fā)熱量。

  功率半導(dǎo)體 電容器 電感器 電阻器 2295瀏覽量

• 意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術(shù)2024-10-29 10:54

  

  意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術(shù)，標(biāo)志著在高效能和高功率密度領(lǐng)域的又一重大進(jìn)展。新一代MOSFET不僅在電動(dòng)汽車中具有廣泛應(yīng)用潛力，也適用于各類高壓和高功率密度的工業(yè)應(yīng)用。新發(fā)布的MOSFET特別針對(duì)電動(dòng)汽車的牽引逆變器，這是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中不可或缺的部分，負(fù)責(zé)將電池組中的

  MOSFET SiC 半導(dǎo)體 1537瀏覽量

• 為什么WBG材料是5G系統(tǒng)未來發(fā)展的關(guān)鍵?2024-10-29 10:52

  

  電力半導(dǎo)體正在顯著影響下一代網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料在電信系統(tǒng)中的集成正在成為支持和增強(qiáng)5G基礎(chǔ)設(shè)施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面，WBG半導(dǎo)體相較于傳統(tǒng)硅設(shè)備具有顯著優(yōu)勢(shì)，使其成為先進(jìn)電信環(huán)境中理想的應(yīng)用材料。隨著時(shí)間推移，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在5G基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性不斷上升，這得益于這些材料固有的技術(shù)特性，以及在能源效率和熱管理

  5G SiC 半導(dǎo)體 1127瀏覽量

• 全球成熟制程晶圓代工產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)6%2024-10-28 11:27

  

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新調(diào)研，預(yù)計(jì)到2025年，全球成熟制程的晶圓代工產(chǎn)能將增長(zhǎng)6%。這一數(shù)據(jù)不僅反映了當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢(shì)，也揭示了先進(jìn)制程與成熟制程之間的明顯需求分化。隨著人工智能、5G和高性能計(jì)算等新興技術(shù)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷重要的轉(zhuǎn)型。在先進(jìn)制程領(lǐng)域，5/4nm和3nm技術(shù)的需求持續(xù)旺盛。AI服務(wù)器、高性能計(jì)算(HPC)芯片以

  半導(dǎo)體 晶圓 芯片 1201瀏覽量

• 高壓電池?cái)嚅_開關(guān)的未來：氮化鎵技術(shù)能否解決關(guān)鍵挑戰(zhàn)?2024-10-28 11:25

  

  目前市場(chǎng)上的電動(dòng)車使用的是400V和800V的電池，標(biāo)稱電流超過200安培。如果這些高壓和高電流連接到車身或任何導(dǎo)電部件上，可能會(huì)導(dǎo)致致命風(fēng)險(xiǎn)。為了防止這種情況的發(fā)生，制造商采用高壓高電流直流接觸器繼電器，將電池的正負(fù)極與高壓電路網(wǎng)斷開，如圖1所示。圖1繼電器的挑戰(zhàn)如果使用繼電器為并聯(lián)于逆變器的直流鏈路電容充電，則需要預(yù)充電電路，該電路的涌入電流取決于電容的

  開關(guān) 氮化鎵 高壓電池 1052瀏覽量

• N通道和P通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?2024-10-25 11:58

  

  晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先，作為其真空管前身三極管，晶體管可以放大電信號(hào)。其次，晶體管可以作為計(jì)算機(jī)的信息處理和存儲(chǔ)的開關(guān)設(shè)備。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是控制電流通過電場(chǎng)的半導(dǎo)體器件。晶體管不僅可以放大電信號(hào)，還可以作為開關(guān)設(shè)備。計(jì)算機(jī)利用晶體管的開關(guān)能力進(jìn)行算術(shù)和邏輯運(yùn)算以及信息存儲(chǔ)。它們使用二進(jìn)制代碼——以基數(shù)2書寫的

  FET p通道 場(chǎng)效應(yīng)管 晶體管 2955瀏覽量

• Wolfspeed暫停德國(guó)SiC晶圓廠建設(shè)，德國(guó)半導(dǎo)體招商引資再遭重創(chuàng)2024-10-25 11:53

  

  近期，美國(guó)半導(dǎo)體公司W(wǎng)olfspeed宣布暫停在德國(guó)恩斯多夫(Ensdorf)建設(shè)碳化硅(SiC)晶圓廠的計(jì)劃，此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。Wolfspeed的決定恰逢英特爾也因營(yíng)運(yùn)危機(jī)而擱置馬格德堡建廠案，進(jìn)一步凸顯了當(dāng)前德國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的投資挑戰(zhàn)。Wolfspeed原計(jì)劃在德國(guó)投資30億歐元，旨在增強(qiáng)其在碳化硅材料領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，以滿足電動(dòng)車和新能源行業(yè)

  SiC Wolfspeed 半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管 1308瀏覽量

• 2024年全球硅晶圓市場(chǎng)回暖：SEMI預(yù)測(cè)出貨量將穩(wěn)步增長(zhǎng)2024-10-24 11:13

  

  近日，半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)發(fā)布了其最新的年度硅晶圓出貨量預(yù)測(cè)報(bào)告，展現(xiàn)出全球硅晶圓市場(chǎng)的積極信號(hào)。報(bào)告指出，經(jīng)歷了去年的14.3%跌幅后，今年全球硅晶圓出貨量的下跌幅度將顯著收窄，僅下降2.4%。這一趨勢(shì)不僅反映出市場(chǎng)的恢復(fù)力，還顯示出在人工智能(AI)和先進(jìn)制程等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。硅晶圓作為大多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)構(gòu)建材料，扮演著至關(guān)重要的角色。半導(dǎo)體本

  SEMI 半導(dǎo)體 硅晶圓 1162瀏覽量