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全球MCU市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，英飛凌鞏固全球汽車MCU市場(chǎng)龍頭地位2024-04-25 11:40
近日，TechInsights發(fā)布了一份最新研究報(bào)告，報(bào)告顯示英飛凌在全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的份額實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)。具體數(shù)據(jù)表明，英飛凌的市場(chǎng)份額從2022年的近13%提升到了2023年的大約14%，這一增長(zhǎng)進(jìn)一步鞏固了其作為全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。TechInsights的研究報(bào)告指出，英飛凌在全球所有地區(qū)的市場(chǎng)份額都有所提升，特別是在韓國(guó)和中國(guó)，英飛凌 -
如何看待半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)的新趨勢(shì)2024-04-25 11:38
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碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來(lái)提供動(dòng)力2024-04-24 11:48
隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟(jì)新模式，我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運(yùn)輸領(lǐng)域的變革，因?yàn)槲覀冃枰獪p少對(duì)化石燃料等不可再生資源的依賴，以減輕對(duì)環(huán)境的影，推動(dòng)了一系列能夠顯著提升效率并加快電氣化轉(zhuǎn)變的產(chǎn)品的問(wèn)世。功率半導(dǎo)體技術(shù)近年來(lái)快速進(jìn)步，配備了碳化硅(SiC)MOSFET的電動(dòng)汽車(EV)如今能夠行駛 -
利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)2024-04-23 10:49
盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級(jí)結(jié)MOSFET(例如意法半導(dǎo)體的MDmesh技術(shù))通過(guò)晶圓上又深又窄的溝槽來(lái)應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。01該技術(shù)非常適合開關(guān)模式電源，采用超級(jí)結(jié)多漏極結(jié)構(gòu)來(lái)降低漏源壓降。高漏電或軟擊穿電壓等問(wèn)題可能是由塊狀形成中的污染物或缺陷引??起的。因此， -
臺(tái)灣晶圓代工與IC封裝測(cè)試2023年均為全球第一2024-04-22 13:52
臺(tái)灣作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)航者，匯聚著眾多全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司。根據(jù)駐新加坡臺(tái)北代表處發(fā)布最新一期《2023年臺(tái)灣與全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈回顧》報(bào)告，在晶圓代工和集成電路(IC)封裝測(cè)試方面，2023年臺(tái)灣均位居第一。報(bào)告稱，臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)上保持優(yōu)勢(shì)地位，其產(chǎn)值之市占率從2022年的55.4%，提升至2023年的58.9%，并在2023年第四季達(dá)到6 -
氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)2024-04-22 13:51
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢(shì)也推動(dòng)了它在多樣化應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換使用，例如數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動(dòng)汽車。在本文中，我們將探討創(chuàng)建GaN功率集成電路(ICs)的一些優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)。01創(chuàng)造GaN功率IC的動(dòng)機(jī)基于硅的功率管理集成電路(PMICs)被 -
汽車電子化潮流推動(dòng)磁傳感器市場(chǎng)蓬勃發(fā)展2024-04-19 13:59
隨著現(xiàn)代汽車行業(yè)迅猛發(fā)展，汽車“三化”特征——智能化、電動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)化日益顯著，車輛的電子功能不斷豐富，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、防抱死剎車系統(tǒng)(ABS)以及電子加速踏板等。這些進(jìn)步背后，磁傳感器的需求量悄然增長(zhǎng)。磁傳感器主要用于測(cè)量汽車的車速、輪速、曲軸位置、凸輪軸位置等重要參數(shù)，它們?cè)贏BS和電動(dòng)車電機(jī)控制等關(guān)鍵系統(tǒng)中扮演著不可缺少的角色。全球磁傳感器市場(chǎng)目前正處 -
封裝技術(shù)會(huì)成為摩爾定律的未來(lái)嗎?2024-04-19 13:55
你可聽說(shuō)過(guò)摩爾定律?在半導(dǎo)體這一領(lǐng)域，摩爾定律幾乎成了預(yù)測(cè)未來(lái)的神話。這條定律，最早是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾于1965年提出，簡(jiǎn)單地說(shuō)就是這樣的：集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环?，性能也隨之增強(qiáng)。這不僅是一條觀察法則，更像是一道命令，催促著整個(gè)行業(yè)向著更小、更快、更便宜的方向發(fā)展。01但這些年來(lái)，摩爾定律好像遇到了壁壘。我們的芯片已經(jīng)小得難 -
阿斯麥(ASML)公司首臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)突破性成果2024-04-18 11:50
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向前發(fā)展的重要?jiǎng)恿?。近日，荷蘭阿斯麥(ASML)公司宣布，成功打造了首臺(tái)采用0.55數(shù)值孔徑(NA)投影光學(xué)系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻機(jī)，并已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一重要成就，不僅標(biāo)志著ASML公司技術(shù)創(chuàng)新的新高度，也為全球半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了新的契機(jī)。目前，全球僅有兩臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV -
GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法2024-04-18 11:49
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)損失且電容相對(duì)較小。隨著這項(xiàng)技術(shù)在更廣泛的應(yīng)用范圍內(nèi)推廣，詳細(xì)理解提高產(chǎn)量和可靠性的根本原因至關(guān)重要。本文中，我們總結(jié)了在GaN晶圓加工過(guò)程中常見(jiàn)的一些缺陷，以及用于檢測(cè)這些缺陷的表征技術(shù)。01氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)
