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全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速布局，兩大巨頭投資數(shù)十億美元建設(shè)新工廠2024-06-07 11:19
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)回暖的背景下，兩大半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體(ST)和恩智浦半導(dǎo)體(NXP)近期分別宣布了重大投資計(jì)劃，以加速在碳化硅(SiC)和半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域的布局。5月31日，意法半導(dǎo)體在其官網(wǎng)上正式宣布，將于意大利卡塔尼亞建設(shè)全球首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園。該產(chǎn)業(yè)園將作為8英寸碳化硅功率器件和模塊的大規(guī)模制造及封測(cè)綜合基地，實(shí)現(xiàn)碳化硅制造的全面垂直整合。 -
半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件的比較2024-06-07 11:17
半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊因其相對(duì)于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢(shì)而變得越來(lái)越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領(lǐng)域，選擇半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件對(duì)效率、可靠性和整體系統(tǒng)性能有著顯著的影響。半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊的優(yōu)勢(shì)半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊將多個(gè)組件集成到單一封裝中，與離散元件相比設(shè)計(jì)更為緊湊。模塊可以輕松集成從改善開(kāi)關(guān)行為的電容器到電流測(cè)量的分流器和減少雜散電感的組件。圖1：帶有集成 -
阿斯麥(ASML)與比利時(shí)微電子(IMEC)聯(lián)合打造的High-NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室正式啟用2024-06-06 11:20
近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商阿斯麥(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)共同宣布，位于荷蘭費(fèi)爾德霍芬的High-NAEUV光刻實(shí)驗(yàn)室正式啟用。這一里程碑式的事件標(biāo)志著雙方合作研發(fā)的高數(shù)值孔徑(HighNA)極紫外(EUV)光刻技術(shù)即將進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)將在2025至2026年間實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。該實(shí)驗(yàn)室的核心設(shè)備是一臺(tái)名為T(mén)WINSCANE -
使用碳化硅模塊的充電設(shè)備設(shè)計(jì)2024-06-06 11:19
碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性，正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進(jìn)的SiC模塊，特別適用于各種充電設(shè)備的設(shè)計(jì)中。本文將探討使用MPRA1C65-S61SiC模塊設(shè)計(jì)充電設(shè)備的優(yōu)勢(shì)、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和實(shí)際應(yīng)用案例。碳化硅模塊的優(yōu)勢(shì)高效能和低損耗:SiC模塊相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基模塊，具有更低的導(dǎo)通電阻和更 -
東芝大幅裁員聚焦功率半導(dǎo)體，中國(guó)市場(chǎng)成競(jìng)爭(zhēng)新焦點(diǎn)2024-06-05 11:33
在日益激烈的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，東芝公司近日宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略調(diào)整，將進(jìn)行一場(chǎng)規(guī)模達(dá)5000人的裁員行動(dòng)，并將重點(diǎn)聚焦在功率半導(dǎo)體等核心業(yè)務(wù)上，以應(yīng)對(duì)行業(yè)變革和市場(chǎng)挑戰(zhàn)。 -
SiC模塊MPRA1C65-S61進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)2024-06-05 11:28
今天和大家分享一下我在使用MPRA1C65-S61這款SiC模塊進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)的一些實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。這款模塊的反向重復(fù)峰值電壓為650V，連續(xù)正向電流為100A，非常適合用在開(kāi)關(guān)電源設(shè)備上。為什么選擇SiC模塊?首先，大家可能會(huì)問(wèn)，為什么要選擇SiC(碳化硅)模塊?相比傳統(tǒng)的硅基模塊，SiC模塊具有更高的效率、更低的開(kāi)關(guān)損耗和更好的熱性能。這意味著在相同的設(shè)計(jì) -
中國(guó)新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)再創(chuàng)新高，本土車(chē)規(guī)MCU國(guó)產(chǎn)化率目標(biāo)25%2024-06-04 11:56
在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，中國(guó)正展現(xiàn)出其強(qiáng)大的市場(chǎng)影響力和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型能力。根據(jù)中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，2023年我國(guó)新能源車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量突破900萬(wàn)輛大關(guān)，市場(chǎng)占有率超過(guò)30%，連續(xù)九年領(lǐng)跑全球，成為推動(dòng)全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)綠色轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵力量。在這一背景下，車(chē)規(guī)級(jí)芯片作為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的核心零部件，其國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程顯得尤為重要。隨著新能源汽車(chē)市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，單車(chē)芯片需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng) -
基于SiC Diode模塊在焊接切割設(shè)備中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)2024-06-04 11:55
焊接切割設(shè)備通?？梢酝ㄟ^(guò)功率模塊解決設(shè)計(jì)方案實(shí)現(xiàn)其高效、穩(wěn)定的輸出功率，從而幫助設(shè)備延長(zhǎng)使用壽命和保持穩(wěn)定性。為了滿足高效、穩(wěn)定、耐用的焊接切割設(shè)備需求，MPRA1C65-S61SiCDiode模塊應(yīng)運(yùn)而生，這是一款基于碳化硅(SIC)技術(shù)的新型SICDIODE模塊。這篇文章將深入探討SICDIODE模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以及它在焊接切割設(shè)備中的應(yīng)用和性能提升。圖 -
中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)產(chǎn)能激增，市場(chǎng)或?qū)⒂瓉?lái)價(jià)格戰(zhàn)2024-06-03 14:18
從2023年起，中國(guó)碳化硅襯底行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個(gè)項(xiàng)目的全國(guó)落地，行業(yè)產(chǎn)能迅速擴(kuò)張，達(dá)到了新的高度。根據(jù)最新行業(yè)數(shù)據(jù)，國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的折合6英寸銷(xiāo)量已突破百萬(wàn)大關(guān)，多家廠商的產(chǎn)能增長(zhǎng)速度顯著超過(guò)市場(chǎng)預(yù)期。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)2023年的6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已占據(jù)全球產(chǎn)能的42%，預(yù)計(jì)到2026年，這一比例將提升至50%左右 -
并行連接的SiC MOSFET可以帶來(lái)更多電力2024-06-03 14:15
功率器件(如開(kāi)關(guān)、電阻和MOSFET)的并聯(lián)連接旨在分擔(dān)功率，使設(shè)備能夠承受更大的功率。它們可以并聯(lián)連接，以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩(wěn)定性的影響，并聯(lián)連接通常比其他較老的組件更簡(jiǎn)單且不那么關(guān)鍵，碳化硅MOSFET也可以與其他同類(lèi)設(shè)備并聯(lián)使用。在正常情況下，多個(gè)單元的簡(jiǎn)單并聯(lián)連接運(yùn)行良好，但在與溫度、電流和工作頻率相關(guān)的特殊情況下，工作條件可能變得關(guān)鍵