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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 英飛凌:重組銷售與營銷組織2024-03-01 14:30

    自2024年3月1日起,英飛凌的銷售團(tuán)隊將圍繞三個以客戶為中心的銷售細(xì)分市場進(jìn)行重組:“汽車”、“工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施”和“消費者、計算與通信”。其分銷商和電子制造服務(wù)(EMS)的銷售組織DEM將保留其職責(zé)。這一新結(jié)構(gòu)將通過將客戶的應(yīng)用需求置于新組織模型的中心,進(jìn)一步發(fā)揮英飛凌全面且多樣化的產(chǎn)品組合的潛力。所有這些組織都將在全球范圍內(nèi)部署,并優(yōu)化區(qū)域足跡。
  • 硅碳化物和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)2024-03-01 14:29

    相比之下,氮化鎵在自然中以閃鋅礦(一種鋅和鐵的硫化物)的形式存在,在這種分布稀少的情況下,提純生產(chǎn)極其困難。與SiC相比,氮化鎵在射頻電子學(xué)中表現(xiàn)最佳,因為它具有更高的電子遷移率。我們從GaN和SiC的晶體結(jié)構(gòu)中分析出平,GaN由于其熱特性,包括高熱導(dǎo)率,使其在環(huán)境中更好地散熱,而SiC硅碳化物更適用于功率電子學(xué)。
  • 適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs2024-02-29 17:54

    GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢,為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設(shè)計的柵極驅(qū)動器和控制器的發(fā)展。因此,電路設(shè)計師經(jīng)常轉(zhuǎn)向為硅MOSFETs設(shè)計的通用柵極驅(qū)動器,這就需要仔細(xì)考慮多個因素以實現(xiàn)最佳性能。
    GaN MOSFET 柵極驅(qū)動 2194瀏覽量
  • 敦泰:布局高端產(chǎn)品,搶抓柔性O(shè)LED市場新機遇2024-02-29 17:52

    2023年,面對國內(nèi)外諸多挑戰(zhàn),敦泰科技以其OLED觸控芯片、車載TDDI等產(chǎn)品市場份額穩(wěn)步提升,收獲頗豐。公司不斷優(yōu)化資源配置,加強OLED DDI、IDC(TDDI)芯片等高端產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),助力搶占柔性O(shè)LED市場的新機遇,進(jìn)一步鞏固其在觸控與顯示芯片行業(yè)的領(lǐng)先地位。
    OLED 敦泰 顯示觸控 2692瀏覽量
  • 晶豐明源:2023年實現(xiàn)銷售收入達(dá)到13.03億元2024-02-28 17:30

    近日,晶豐明源公布了其2023年度業(yè)績報告。報告揭示,公司在2023年實現(xiàn)銷售收入達(dá)到13.03億元,相較于上年同期增長了20.74%。盡管面臨上游產(chǎn)能過剩、下游需求減少以及庫存積壓等多方面挑戰(zhàn),晶豐明源通過優(yōu)化庫存管理和產(chǎn)品成本結(jié)構(gòu),成功為公司未來的穩(wěn)健發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。
    晶豐明源 管理芯片 1352瀏覽量
  • 5G與第三代半導(dǎo)體基底功率放大器2024-02-28 17:29

    通過了解氮化鎵在碳化硅基底上的功率放大器技術(shù),我們可以看到其在解決現(xiàn)代射頻通信中遇到的挑戰(zhàn)上具有不可替代的作用,尤其在提升5G通信效率、減少能耗和支持高級通信系統(tǒng)方面的重要性。
  • 全新潛力:金剛石作為下一代半導(dǎo)體的角逐者2024-02-27 17:14

    金剛石,以其無比的硬度和璀璨的光芒而聞名,也打開了其作為半導(dǎo)體的新視角,為下一代電子元件提供了新的可能。金剛石特有的特性,包括高導(dǎo)熱性和電絕緣特性,使其在一些特殊的電子和功率器件應(yīng)用中具有極大的吸引力,特別是在高功率和高溫環(huán)境中。
  • 前特斯拉、前蘋果工程師開始與日本“領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)中心”合作2024-02-27 17:12

    美國創(chuàng)業(yè)公司Tenstorrent Inc.將與日本政府支持的半導(dǎo)體研究小組合作,共同設(shè)計首款先進(jìn)的人工智能芯片。Tenstorrent由曾在特斯拉和蘋果公司擔(dān)任要職的Jim Keller領(lǐng)導(dǎo),將授權(quán)其設(shè)計用于日本人工智能加速器的一部分,并共同設(shè)計整體芯片。
  • GaN在應(yīng)用太空工業(yè)中的應(yīng)用2024-02-26 17:23

    在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能,已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基系統(tǒng)的游戲規(guī)則改變者,與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相比,它具有卓越的耐輻射能力和無與倫比的電氣性能。
    GaN MOSFET 1660瀏覽量
  • 電動汽車的直流快速充電技術(shù)2024-02-23 17:45

    EV DC充電器市場按功率水平的預(yù)測分解顯示,到2027年,預(yù)計將有41%的強勁累計年增長率(CAGR),其中>100kW充電器將引領(lǐng)這一擴張。
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