KRi 考夫曼離子源,真空鍍膜離子源

離子源

型號： KDC 100

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

產(chǎn)地美國
類型考夫曼型
品牌 KRi

--- 產(chǎn)品詳情 ---

因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準(zhǔn)
KRI 考夫曼離子源 KDC 100
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規(guī)格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈絲和自對準(zhǔn)柵極, 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：

* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

若您需要進(jìn)一步的了解考夫曼離子源, 請聯(lián)絡(luò)上海伯東葉女士

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刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一, 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過程及終點監(jiān)測 (干法刻蝕終點檢測), 通過持續(xù)監(jiān)控腔室工藝化學(xué)氣體, 確保半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)的高產(chǎn)量和最大吞吐量.

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伯東企業(yè)（上海）有限公司

KRi 考夫曼離子源,真空鍍膜離子源

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