Gel-Pak VR真空釋放盒應(yīng)用于50V GaN HEMT 芯片
某碳化硅 SiC 和 氮化鎵 GaN 供應(yīng)商新推出了三款 50V 分立氮化鎵高電子遷移率晶體管 HEMT 芯片, 分別是: 20W, 6GHz 芯片；75W, 6GHz 芯片以及 320W, 4GHz 芯片, 從而使得該系列的產(chǎn)品數(shù)量達(dá)到 5種, 這一系列是目前市場(chǎng)上唯一的商用 50V 裸芯 GaN HEMT 芯片.
Gel-Pak VR 真空釋放盒為 50V GaN HEMT 芯片提供儲(chǔ)存和運(yùn)輸解決方案
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國(guó) Gel-Pak VR 真空釋放盒進(jìn)行包裝, Gel-Pak 采用了無(wú)殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定住, 避免在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過程中因?yàn)榕鲎驳仍斐尚酒膿p害.
上海伯東美國(guó) Gel-Pak VR 真空釋放盒
上海伯東美國(guó) Gel-Pak VR 真空釋放膠盒, 膠盒表面在網(wǎng)狀材料上使用專有的 Gel 膠或無(wú)硅 Vertec? 膠膜將芯片固定在適當(dāng)位置, 通過在托盤底側(cè)施加真空將芯片釋放. Gel-Pak 真空釋放盒適用于大批量器件自動(dòng)拾取和放置應(yīng)用, 特別是超薄芯片.
上海伯東美國(guó) Gel-Pak VR 真空釋放盒Gel-Pak VR 真空釋放膠盒特點(diǎn):
適合大多數(shù)的芯片尺寸
適用于手動(dòng)操作 (真空吸筆) 或自動(dòng)拾取設(shè)備 ( Pick &Place 設(shè)備)
適用于運(yùn)輸或處理易碎的器件( 比如減薄的 InP 磷化銦晶圓)
通常應(yīng)用在 2英寸和 4英寸的托盤
可以用來(lái)運(yùn)輸晶圓或者大尺寸超薄器件
適用于對(duì)清潔度要求高的場(chǎng)合
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54369瀏覽量
468924 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3846瀏覽量
70050 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
21文章
2380瀏覽量
84302
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
TPS84250：7 - 50V輸入、2.5A降壓集成電源解決方案
TPS84250：7 - 50V輸入、2.5A降壓集成電源解決方案 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電源管理芯片的性能和特性對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入探討一下德州儀器（TI
氮化鎵GaN FET/GaN HEMT 功率驅(qū)動(dòng)電路選型表
PC5012 是一款 700V、1.2Ω?的氮化鎵（GaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），集成了單通道低端驅(qū)動(dòng)器，專為高速應(yīng)用中的氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。其上升沿和下降沿的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可通過在柵極、OUTH 和
發(fā)表于 03-17 16:26
?3次下載
PI 1250V/1700V GaN HEMT助力英偉達(dá)800VDC架構(gòu)
Power Integrations公司的PowiGaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)了1250V和1700V GaN開關(guān)器件，使設(shè)計(jì)人員能夠構(gòu)建高密度、高效率的電源。
50W 28V 0.3-6GHz ALGH60S050CFPS 氮化鎵射頻功放管
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
電壓：28V
頻率：300-6000MHz
功率：50W
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
ALGH60S050CFP(S)是一種內(nèi)部預(yù)匹配的氮化鎵(GaN)高電子遷移率功率管
發(fā)表于 02-24 16:11
CHA6154-99F三級(jí)單片氮化鎵（GaN）中功率放大器
- 7.75 GHz技術(shù)工藝：GaN-on-SiC HEMT封裝形式：裸片（Bare Die）芯片尺寸：4.08 × 1.7 mm2芯片厚度：100 μm ± 10 μm電氣特性（T
發(fā)表于 02-04 08:56
VIPERGAN50高效準(zhǔn)諧振離線高壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics VIPERGAN50高壓轉(zhuǎn)換器是一款先進(jìn)的準(zhǔn)諧振離線高壓轉(zhuǎn)換器，設(shè)有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN50設(shè)計(jì)
STDRIVEG60015演示板技術(shù)解析：650V E模式GaN半橋驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)指南
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允許用戶評(píng)估STDRIVEG600高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。STDRIVEG600經(jīng)過優(yōu)化，可驅(qū)動(dòng)高壓增強(qiáng)模式GaN HEMT。該器件具有集成自舉二極管，可提供高達(dá)20
先積新品發(fā)布 ▏50V, 7路達(dá)林頓驅(qū)動(dòng)陣列_ULN2003
/O口或者標(biāo)準(zhǔn)邏輯電路輸出口直接相連。每個(gè)通道均有獨(dú)立的續(xù)流二極管，可用于驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載。ULN2003A擊穿電壓大于50V，覆蓋12V/24V供電應(yīng)用，最大持續(xù)電流
GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式
繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場(chǎng)地位與廣闊應(yīng)用前景。
GaN HEMT開關(guān)過程中振蕩機(jī)制與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)考量
增強(qiáng)型GaN HEMT具有開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、功率密度高等特點(diǎn)，正廣泛應(yīng)用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換和射頻電路中。但由于其柵極電容小，柵極閾值電壓低（通常在1V到2
SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT，其內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段，可提供最佳功率和線性度。
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無(wú)線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配
發(fā)表于 06-16 16:18
增強(qiáng)AlN/GaN HEMT
一種用于重?fù)诫sn型接觸的選擇性刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄
MAX3157高共模抑制比RS-485收發(fā)器，帶有±50V隔離技術(shù)手冊(cè)
MAX3157是一款高CMRR RS-485/RS-422數(shù)據(jù)通信接口，在混合微電路中可提供±50V隔離。邏輯端的+5V單電源為接口的兩側(cè)供電，外部±50V電容由邏輯端向隔離端傳輸電源。每個(gè)
MAX3250 ±50V隔離、3.0V至5.5V供電、250kbps、2 Tx/2 Rx、RS-232收發(fā)器技術(shù)手冊(cè)
MAX3250為3.0V至5.5V供電、±50V隔離的EIA/TIA-232和V.28/V.24通信接口
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組？特性是什么？主要應(yīng)用哪里？
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件，通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合
評(píng)論