英飛凌工業(yè)半導體文章

• 如何測量功率回路中的雜散電感2024-03-07 08:13

  

  本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內(nèi)部寄生

  MOSFET 功率電路 雜散電感 2590瀏覽量

• 最新IGBT7系列分立器件常見問題2024-03-05 08:17

  

  英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過多項可靠性測試以保證其長期使用穩(wěn)定性，與電性能相關的主要有HTGS，HTRB，H3TRB，HV-H3TRB等。高溫高濕測試H3TRB的測試條件是溫度Ta=85℃,濕度R

  IGBT 分立器件 測試 1603瀏覽量

• 零碳故事 | “2024年，以戰(zhàn)略的確定性迎接未來的挑戰(zhàn)”2024-02-27 08:13

  

  “英家零碳故事”2024年系列第一期正式上線，零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負責人于代輝先生就產(chǎn)業(yè)機遇和挑戰(zhàn)分享專業(yè)洞見，并深度解析零碳工業(yè)功率事業(yè)部業(yè)務增長制勝策略。(本文因篇幅有限，只能提煉專家的部分金句）更多精彩觀點，請點擊觀看完整視頻zzzzzZzzz12023年半導體市場整體盤點“全球半導體市場整體放緩

  功率半導體 英飛凌 697瀏覽量

• T-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試2024-02-26 08:13

  

  上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試方法》，對于T-NPC拓撲來說也是類似的，我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法由于技術的發(fā)展和應用的需要，T型三電平應用越來越廣，我們開發(fā)了IGBT71200V62mm共發(fā)射極模塊，最大規(guī)格電流為800A，以及PrimePACK3+封裝的的共集電極模塊，規(guī)格為2400A/120

  IGBT 三電平 短路測試 4762瀏覽量

• IGBT7系列分立器件核心知識點最全整理！2024-02-23 08:13

  

  英飛凌IGBT7單管系列，作為目前炙手可熱的光儲應用新星產(chǎn)品，正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識大全，希望大家買得放心，用得順手~更全型號選擇，總有一款適合你IGBT7S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅(qū)動。該系列可實現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。H7

  IGBT 分立器件 英飛凌 1361瀏覽量

• 英飛凌攜手盛弘電氣拓展儲能市場， 共同推進綠色能源發(fā)展2024-02-19 13:15

  

  近日，英飛凌宣布與全球領先的能源互聯(lián)網(wǎng)核心電力設備及解決方案領軍企業(yè)盛弘電氣股份有限公司達成合作。英飛凌將為盛弘提供業(yè)內(nèi)領先的1200VCoolSiCMOSFET功率半導體器件，配合EiceDRIVER緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動IC，從而進一步提升儲能變流器的效率。在“雙碳”戰(zhàn)略和新能源浪潮帶動下，近年來，國內(nèi)儲能市場保持持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)工信部，20

  能源 英飛凌 驅(qū)動IC 1122瀏覽量

• 普控科技11kW超高功率密度變頻器產(chǎn)品定義、設計和驗證2024-02-19 13:15

  

  全面介紹了滿足IEC61800-9變頻產(chǎn)品國際新能效標準的11kW重載型變頻器產(chǎn)品定義、設計和驗證，包括新一代IGBT7-FP50R12W2T7_B11的選型、整機效率、溫升、dv/dt、EMC等

  變頻器 電動機 能源 1929瀏覽量

• 為什么CIPOS™ Mini更偏向于使用IGBT芯片，而非Si MOSFET？2024-02-19 13:15

  

  英飛凌作為電力電子領域創(chuàng)新解決方案的領先企業(yè)，其取得的一大顯著成就是，開發(fā)了用于集成功率模塊（IPM）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。這些緊湊的電力電子器件有助于打造更加集成、可靠且高性價比的解決方案。本文探討了英飛凌在其CIPOSMini產(chǎn)品中，更偏向

  igbt芯片 MOSFET 半導體 1112瀏覽量

• I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測試方法2024-01-18 08:13

  

  雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開關性能，并為功率變換器的設計（如開關頻率和死區(qū)時間的確定、熱管理和效率評估）提供了

  三電平 功率器件 電壓 8083瀏覽量

• 英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部：做更可靠的SiC解決方案提供商2024-01-10 08:13

  

  /導讀/英飛凌作為全球功率半導體市場絕對的領軍者，對全球“減碳”事業(yè)的探索也一直走在前列。2023年4月，英飛凌還將工業(yè)功率控制事業(yè)部正式更名為零碳工業(yè)功率（GIP,GreenIndustrialPower）事業(yè)部，也可以看出英飛凌繼續(xù)加碼綠色能源市場的決心和信心。SiC作為英飛凌減碳事業(yè)的關鍵產(chǎn)品，一直以來英飛凌對SiC產(chǎn)品在多個關鍵應用市場推進付出了諸多

  SiC 芯片 英飛凌 1498瀏覽量