英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 英飛凌的SiC MOS需要負(fù)壓嗎2023-07-31 17:30

  

  IPAC|2023年度英飛凌碳化硅直播季第一場直播于5月23日順利結(jié)束。直播中英飛凌的三位工程師孫輝波、趙佳、郝欣與大家探討了CoolSiC溝槽柵MOSFET的設(shè)計(jì)理念、高性能封裝互聯(lián)方案.XT、冷切割技術(shù)與應(yīng)用。直播時(shí)間有限，未能回答全部觀眾問題，在此針對(duì)一些遺漏問題進(jìn)行回答。如果大家還有任何問題，歡迎在文末留言，我們會(huì)及時(shí)回復(fù)。點(diǎn)擊下方視頻即可回看溝槽柵

  MOS SiC 英飛凌 3226瀏覽量

• 新品 | 用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET2023-07-31 16:57

  

  新品用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。產(chǎn)品型號(hào)：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低

  MOSFET 高速開關(guān) 1995瀏覽量

• 零碳故事丨新能源“東風(fēng)”下的第三代半導(dǎo)體2023-07-06 10:07

  

  來源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號(hào)21tech（News-21），作者：李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級(jí)副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場搭好了舞臺(tái)。過去一段時(shí)間，盡管全球消費(fèi)電子市場持續(xù)低迷，存儲(chǔ)芯片等各類半導(dǎo)體零部件的需求明顯減少，但廣泛用于光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體市場卻異常熱鬧。特別是在能源轉(zhuǎn)型的巨大需求

  半導(dǎo)體 新能源 1184瀏覽量

• 晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算2023-07-01 10:10

  

  功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計(jì)算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對(duì)晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時(shí)提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計(jì)算，請(qǐng)參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算》。晶閘管是半控型電力電子器件，可通過門極在晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，控制晶閘管

  UPS 晶閘管 2526瀏覽量

• 搶占席位｜2023英飛凌寬禁帶應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇2023-06-30 10:08

  

  主辦單位：英飛凌科技（中國）有限公司協(xié)辦單位：慕尼黑展覽（上海）有限公司合作媒體：世紀(jì)電源網(wǎng)、電源網(wǎng)：7月11日：上海國家會(huì)展中心伴隨科技高速發(fā)展，隨之帶來的氣候和能源挑戰(zhàn)愈演愈烈。以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲(chǔ)能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉砬八从械狞S金發(fā)展期。如何促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新？如何提

  寬禁帶 英飛凌 1506瀏覽量

• 英飛凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模塊助力推動(dòng)節(jié)能電氣化列車低碳化2023-06-22 10:14

  

  為了實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo)，交通運(yùn)輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運(yùn)行有苛刻的運(yùn)行條件，需要頻繁加速和制動(dòng)，且要在相當(dāng)長的使用壽命內(nèi)可靠運(yùn)行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應(yīng)用。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其CoolSiC功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款

  電氣 英飛凌 989瀏覽量

• 采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)2023-06-08 08:16

  

  /引言/近年來，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。文：英飛凌科技高級(jí)應(yīng)用工程師JorgeCerezo逆變焊機(jī)通常是通過IGBT功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來實(shí)

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• 提升新能源車電驅(qū)方案中單管封裝的散熱性能2023-05-27 08:16

  

  經(jīng)典單管TO直插封裝有兩類TO-220和TO-247，其使逆變器系統(tǒng)并聯(lián)擴(kuò)容靈活，器件成本優(yōu)勢明顯，且標(biāo)準(zhǔn)封裝容易找替代品，廣泛應(yīng)用于中小功率范圍。在單管電驅(qū)應(yīng)用方案中可以覆蓋30kW到180kW功率范圍，最多需要6-8個(gè)單管的并聯(lián)來實(shí)現(xiàn)方案。用于最新汽車級(jí)EDT2芯片的器件參數(shù)Vcesat/Vth分布比較集中，器件之間電氣參數(shù)差異小，并聯(lián)降額比例小，可以有

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• 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用2023-05-26 08:17

  

  /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)（650V&1200V）和三個(gè)系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EVcharger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專門的優(yōu)化，并配備了全電流EC7rapid二極管。憑借極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列，H7單管正在成為光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用的新星。“產(chǎn)品特點(diǎn)按照應(yīng)用需求去定義產(chǎn)

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• 凌云院IPAC | 2023年度英飛凌碳化硅直播季，重磅來襲！2023-05-19 08:16

  

  如果要說當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)最熱的話題是什么，無疑是第三代半導(dǎo)體，而這其中SiC毋庸置疑是最引人注目的當(dāng)紅“炸子雞”。英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究，在長達(dá)30年的時(shí)間里，英飛凌不斷地進(jìn)行技術(shù)打磨和沉淀，幫助新材料在新應(yīng)用中快速成長。迄今為止英飛凌CoolSiC商用已有20余年，未來CoolSiC碳化硅器件除了光伏和儲(chǔ)能、充電設(shè)施以及各類電源應(yīng)用以外，還會(huì)

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