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電子發(fā)燒友網(wǎng)>軍用/航空電子>航空電子設(shè)計(jì)之“單粒子翻轉(zhuǎn)”問題

航空電子設(shè)計(jì)之“單粒子翻轉(zhuǎn)”問題

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AD8210S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

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2021-04-24 09:39:471

AD780S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD780S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-04-24 14:10:1510

ADA4077-2S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

ADA4077-2S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-04-24 17:14:239

RT2378-20粒子閉鎖輻射報(bào)告

RT2378-20粒子閉鎖輻射報(bào)告
2021-04-28 18:05:132

ADuM141ES粒子閉鎖輻射報(bào)告

ADuM141ES粒子閉鎖輻射報(bào)告
2021-05-11 10:45:581

AD8229S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD8229S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-13 21:37:254

AD8671S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

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2021-05-14 08:10:556

ADL5513S粒子閉鎖輻射報(bào)告

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2021-05-14 09:42:301

AD574S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

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2021-05-14 17:03:093

AD8346S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

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2021-05-14 17:53:3610

AD768S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD768S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-14 18:09:0524

ADL5501S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

ADL5501S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-14 18:11:159

AD8306S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

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2021-05-17 18:42:392

AD8212S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

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2021-05-17 20:39:326

AD8182S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

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2021-05-18 11:42:033

AD6645S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

AD6645S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-19 13:09:493

ADuM7442S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告

ADuM7442S粒子效應(yīng)輻射報(bào)告
2021-05-24 13:20:205

有效容忍粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器

隨著集成電路工藝不斷改進(jìn),電荷共享效應(yīng)誘發(fā)的粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)已經(jīng)成為影響芯片可靠性的重要因素為此提出一種有效容忍粒子多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)的加固鎖存器:低功耗多點(diǎn)翻轉(zhuǎn)加固鎖存器( low power
2021-06-03 14:42:3614

大學(xué)生電子設(shè)計(jì)大賽電磁三輪硬件設(shè)計(jì)

大學(xué)生電子設(shè)計(jì)大賽電磁三輪硬件設(shè)計(jì)
2021-08-13 10:29:469

電子設(shè)計(jì)競賽開關(guān)穩(wěn)壓電源

電子設(shè)計(jì)競賽開關(guān)穩(wěn)壓電源(大工20春電源技術(shù)在線作業(yè)3)-電子設(shè)計(jì)競賽開關(guān)穩(wěn)壓電源 ? ? ? ? ? ?
2021-09-23 12:51:5039

粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的FPGA模擬技術(shù) (上)

隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,器件特征尺寸逐漸減少,激發(fā)單粒子翻轉(zhuǎn)(Single Event Upset, SEU)效應(yīng)所需的能量閾值呈幾何級下降趨勢。例如,65 nm工藝下器件發(fā)生電平翻轉(zhuǎn)需6500個電荷,16 nm工藝下器件電平翻轉(zhuǎn)僅需1000個電荷 。
2023-02-09 10:12:212782

粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的FPGA模擬技術(shù) (下)

**旁路電路注入故障** 旁路電路技術(shù)的實(shí)現(xiàn)原理和掃描鏈技術(shù)類似,在原有的電路結(jié)構(gòu)上添加附加電路來使電路能夠模擬粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng) ^[25-26]^ 。以寄存器為例,在正常狀態(tài)下寄存器保持其原本的功能,在故障注入模式下通過外部控制信號驅(qū)動附加電路從旁路修改寄存器的數(shù)值。
2023-02-09 10:13:252091

粒子效應(yīng)置信區(qū)間計(jì)算

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《粒子效應(yīng)置信區(qū)間計(jì)算.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-10 10:31:220

重離子軌道環(huán)境粒子效應(yīng)估算應(yīng)用說明

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《重離子軌道環(huán)境粒子效應(yīng)估算應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-10 10:32:431

皮秒脈沖激光技術(shù)在AS32S601粒子效應(yīng)評估中的應(yīng)用

在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域,隨著集成電路的不斷發(fā)展和應(yīng)用范圍的日益擴(kuò)大,其在復(fù)雜環(huán)境下的可靠性問題愈發(fā)受到關(guān)注。粒子效應(yīng)(Single Event Effect, SEE)是影響微電子器件在輻射環(huán)境中
2025-04-03 17:05:121087

一文詳解半導(dǎo)體器件中的粒子效應(yīng)

我們知道,帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過程中,會與靶材原子發(fā)生交互作用,沿離子運(yùn)動軌跡生成電子 - 空穴對,這一物理過程正是粒子效應(yīng)的誘發(fā)根源。從作用機(jī)理來看,半導(dǎo)體器件及集成電路中粒子效應(yīng)的產(chǎn)生需經(jīng)歷三個核心階段,各階段的物理行為存在顯著差異:
2025-09-08 09:48:181154

一文詳解粒子效應(yīng)的電荷收集

在探討粒子翻轉(zhuǎn)基本機(jī)理時(shí),深入理解并掌握各類電荷收集過程及其作用機(jī)理至關(guān)重要,這些過程與機(jī)理對明確粒子效應(yīng)特征、開展相關(guān)試驗(yàn)數(shù)據(jù)分析具有重要參考價(jià)值。針對上述機(jī)理,已有研究者開展了系統(tǒng)性分析,本文將梳理核心結(jié)論,為試驗(yàn)結(jié)果分析提供基礎(chǔ)理論支撐。
2025-09-08 09:50:19941

星載電子系統(tǒng)元器件SEE閾值測試與防護(hù)策略研究

空間輻射環(huán)境是制約星載電子系統(tǒng)長期可靠服役的關(guān)鍵因素之一。地球軌道上的高能質(zhì)子和重離子能夠穿透航天器屏蔽層,與集成電路材料發(fā)生核反應(yīng)或直接電離作用,引發(fā)單粒子效應(yīng)(SEE),包括粒子鎖定(SEL)、粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)、粒子燒毀(SEB)及粒子功能中斷(SEFI)等多種失效模式。
2025-12-13 14:08:052299

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