機器人新型電驅(qū)動技術(shù)：GaN技術(shù)引爆“動力革命”，單臺用量將破千顆

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，隨著人形機器人從“能動”向“靈巧”跨越，其設計面臨著極高的空間約束與性能要求。面對高功率密度、高頻響應及微型化的需求。諧波磁場電機...

2026-04-12 標簽：機器人氮化鎵人形機器人 8.9k 0

PD快充/氮化鎵充電器高壓輸入端電容如何兼顧小體積、大容值與低ESR？——永銘液態(tài)鋁電解電容應用方案

在PD快充與氮化鎵（GaN）充電器設計中，高壓輸入端液態(tài)鋁電解電容，通常位于整流后的高壓母線側(cè)，承擔輸入儲能、紋波吸收與電壓穩(wěn)定的重要作用。隨著充電器向...

2026-04-10 標簽：充電器電解電容氮化鎵 471 0

1700V氮化鎵在多路輸出反激電源中的應用

在多路輸出反激式電源中，如果希望每一路輸出都具備良好的調(diào)節(jié)精度，最常見的做法，是在反激級之后增加DC-DC后級穩(wěn)壓器。

2026-01-26 標簽：穩(wěn)壓器氮化鎵反激電源 3.9k 0

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?..

2026-01-14 標簽：封裝技術(shù)氮化鎵GaN 4.7k 0

芯導科技GaN器件的發(fā)展與演進

在文章"提升開關(guān)頻率（一） 芯導科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進"中，我們介紹了芯導科技MOSFET產(chǎn)品針對高頻需求的工藝發(fā)展路線。

2026-01-14 標簽：氮化鎵GaN芯導科技 3.2k 0

深圳爭妍微電子《快恢復二極管反向恢復時間（trr）選型核心：從25ns到500ns，不同應用場景匹配技巧》

快恢復二極管（FRD）作為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵器件，其反向恢復時間（trr）直接決定電路開關(guān)損耗、電磁干擾（EMI）水平及系統(tǒng)效率，是高頻功率轉(zhuǎn)換場景中選...

2025-12-24 標簽：可控硅快恢復二極管SiC 4.4k 0

六邊形戰(zhàn)士——氮化鎵

產(chǎn)品應用多面性氮化鎵是半導體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性...

2025-12-24 標簽：半導體氮化鎵 4.6k 0

案例分析：米物140W 3C1A智顯秒充氮化鎵充電器CA514 Pro

前言最近充電頭網(wǎng)拿到了米物一款140W智顯秒充氮化鎵充電器CA514Pro，其配置有3C1A四個接口，不僅支持最高140WPD3.1高性能快充輸出，還支...

2025-12-09 標簽：充電器氮化鎵 5k 0

30W氮化鎵全電壓認證方案

30W氮化鎵全電壓認證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動電路，可獲得...

2025-11-28 標簽：電壓氮化鎵認證 5.4k 0

德州儀器集成驅(qū)動器的GaN功率級產(chǎn)品介紹

今天，在功率電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應用場景中的主角。

2025-10-31 標簽：半導體氮化鎵GaN 1.3萬 0

智創(chuàng)無界，芯向未來：深圳爭妍微參與2026 半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會

2026 半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會暨 2025 年度華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應商-電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌頒獎盛典圓滿舉行，深圳爭妍微電子有限公司亮相展會并斬獲...

2026-04-11 標簽：MOSFET可控硅IGBT 507 0

意法半導體推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件

從快充充電器到工業(yè)自動化，氮化鎵正成為高功率密度電源設計的核心選擇。意法半導體近日推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件，持續(xù)推動氮化鎵技術(shù)在更廣闊...

2026-04-11 標簽：意法半導體晶體管氮化鎵 1.5k 0

機器人新型電驅(qū)動技術(shù)：GaN技術(shù)引爆“動力革命”，單臺用量將破千顆

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，隨著人形機器人從“能動”向“靈巧”跨越，其設計面臨著極高的空間約束與性能要求。面對高功率密度、高頻響應及微型化的需求。諧波磁場電機...

2026-04-12 標簽：機器人氮化鎵人形機器人 8.8k 0

ARK（方舟微）耗盡型MOSFET產(chǎn)品在英飛凌PD快充方案的應用

隨著USB PD 3.1協(xié)議的逐步普及，快充電源正向著更高功率密度持續(xù)演進。USB PD 3.1標準將擴展功率范圍（EPR）提升至最高240W（48V/...

2026-03-30 標簽：MOSFETusb氮化鎵 2.4k 0

廣芯微電子聯(lián)手英諾賽科突破高速電機控制邊界

伴隨氮化鎵（GaN）功率器件、超高速電機與高功率密度系統(tǒng)持續(xù)演進，電機控制系統(tǒng)正進入新的技術(shù)拐點。尤其在高速、低電感、高電角速度應用中，一個長期被行業(yè)忽...

2026-03-30 標簽：功率器件氮化鎵 2.4k 0

聯(lián)想65W氮化鎵為什么選用TMY1471K？

聯(lián)想最新INBOX標配的65W 49cc氮化鎵充電器，以1.32W/cm3的高功率密度實現(xiàn)便攜與性能的平衡。拆解后不難發(fā)現(xiàn)，支撐這一核心優(yōu)勢的關(guān)鍵器件之...

2026-03-20 標簽：充電器聯(lián)想氮化鎵 1.3k 0

功率模塊前沿技術(shù)解析：寬禁帶+高集成，引領(lǐng)電力電子新趨勢

功率模塊的技術(shù)迭代，始終圍繞“高效、高密、高可靠、智能化”核心，寬禁帶技術(shù)和高集成設計是當下最核心的發(fā)展方向。對于電子工程師來說，提前掌握前沿技術(shù)，才能...

2026-03-19 標簽：SiC氮化鎵功率模塊 1.5k 0