一種熱電阻阻值測量的新方法

??? 摘? 要：在利用熱電阻測量溫度中，熱電阻阻值的精確測量是精確測量溫度的關鍵，針對傳統(tǒng)熱電阻阻值的測量的不足，提出了新穎的熱電阻阻值測量方法，以AT89C51單片機為核心，僅用較少外圍資源就可以實現(xiàn)，結(jié)構(gòu)簡單，性能可靠，測量精度高。
??? 關鍵詞：熱電阻? 測量? 單片機

1 引言
??? 溫度的測量在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應用，熱電阻傳感器以其溫度測量特性穩(wěn)定，復現(xiàn)行好，測量精度高，測量范圍大等優(yōu)良性能受到青睞。傳統(tǒng)的熱電阻測量電路［１］有以下幾種：一是二線制單臂電橋法，電橋的輸出電壓反映了溫度的變化，但是，由于熱電阻自身阻值較小，當引線較長時，引線電阻引起的誤差就不能忽略。二是三線制單臂電橋法，雖然能夠解決引線電阻引起的誤差，但測量范圍窄。三是四線制單臂電橋法，可以無需考慮熱電阻的非線性造成的測量誤差，并利用恒流源在熱電阻上產(chǎn)生的壓降反映溫度，但是一般測溫現(xiàn)場難以滿足四線制的要求。四是熱電阻阻值電流轉(zhuǎn)換法，將熱電阻阻值轉(zhuǎn)換成相應的電流，以利于信號的傳輸，然而，對于精確的溫度測量仍然存在引線電阻引起的誤差，且性價比低。為此，提出了一種熱電阻阻值測量的新方法，并以AT89C51單片機［２］［３］為主機，配以較少的電阻，電容等元件組成測量系統(tǒng)，實踐證明方法準確、有效。
2 測量原理［４］
??? 測量電路如圖1，其中Rt為待測的熱電阻阻值，Rl為引線的等效電阻，Rc為標準精密電阻，Rd為電容放電電阻。測量原理如下：

??? 第一步，P1.0、P1.1、P1.3為輸入狀態(tài)，P1.2為輸出狀態(tài)，輸出的高電平V１通過Rl、Rt、Rl對電容C充電，則電容C上的電壓Uc(t)，按下式變化，即

??? 經(jīng)歷Tt過渡時間，Uc(t)達到P1.3的輸入高電平閥值電壓V2，P1.3的輸入狀態(tài)由低電平過渡為高電平狀態(tài)，且過渡時間Tt可由(1)式求得，即

? ?將P1.3置為低電平狀態(tài)，電容C通過Rd放電。
??? 第二步，P1.0、P1.2、P1.3為輸入狀態(tài)，P1.1為輸出狀態(tài)，輸出的高電平V1通過Rc、Rl、Rl對電容C充電，經(jīng)歷Tc過渡時間，Uc(t)達到P1.3的輸入高電平閥值電壓V2，P1，3的輸入狀態(tài)由低電平過渡為高電平狀態(tài)，且過渡時間Tc可由(3)式求得，即

??? 將P1.3置為低電平狀態(tài)，電容C通過Rd放電。
?? 第三步，P1.1、P1.2、P1.3為輸入狀態(tài)，P1.0為輸出狀態(tài)，輸出的高電平V1通過Rl、Rl對電容C充電，經(jīng)歷T1過渡時間，Uc(t)達到P1.3的輸入高電平閥值電壓V2，P1.3的輸入狀態(tài)由低電平過渡為高電平狀態(tài)，且過渡時間T1可由(4)式求得，即

??? 將P1.3置為低電平狀態(tài)，電容C通過Rd放電。
??? 將(2)式除以(4)式得

??? 因為Rc為已知，只要測量出Tt、Tc、Tl便可由（7）式計算出被測熱電阻Rt的阻值，單片機程序在通過計算或查表的方法，將熱電阻的阻值轉(zhuǎn)換成相應的溫度值，當Rc選精密電阻，并且單片機時間測量精度高時，使用該測量方法可達到較高的測量精度。
3 測量原理的改進
??? 上述原理分析中，單片機輸出的高電平V1和輸入高電平的閥值電壓V2，在三個步驟中的變化將影響測量精度，為此測量電路進行如圖2的改進。

??? 其中CD4502為CMOS模擬開關，它的導通電阻、切換速度與其供電電壓有關，但對同一芯片，具有同一性，可設模擬開關的導通電阻為Ron，這樣使每一步對電容充電的電壓，相一致為Vcc用放大器OP-07實現(xiàn)比較器，比較器的正輸入端反映電容的充電電壓，負輸入端接標準穩(wěn)壓電源LM385-2.5，使輸入高電平的閥值電壓穩(wěn)定在Vd，通過以上措施克服了原有測量電路的不足，具體測量原理如下：
??? 第一步，P1.4置為“l(fā)”狀態(tài)，并使P1.2、P1.3均為“1”狀態(tài)，則CD4502的Y-Y3接通，對電容放電，放電完成后，比較器的“+”輸入端電壓將低于“-”輸入端電壓，比較器發(fā)生翻轉(zhuǎn)，P1.5為低電平，將P1.2、P1.3均為“0”狀態(tài)，則CD4502的X-X0接通，電壓Vcc通過電阻Ron、Rl、Rl對電容充電，經(jīng)歷Tl過渡時間，Uc（t）達到比較器的翻轉(zhuǎn)電壓，且過渡時間T?l可由(8)式求得，即
(8)
??? 將P1.2、P1.3均為“1”狀態(tài)，CD4502的Y-Y3接通，對電容放電。
??? 第二步，P1.2、P1.3分別設為“0”、“1”狀態(tài)，則CD4502的X-X1接通，電壓Vcc，通過電阻Ron、Rc、Rl、Rl對電容充電，經(jīng)歷Tc過渡時間，Uc（t）達到比較器的翻轉(zhuǎn)電壓，且過渡時間T?c可由(9)式求得，即

??? 將P1.2、P1.3均為“l(fā)”狀態(tài)，CD4502的Y-Y3接通，對電容放電。
??? 第三步，P1.2、P1.3分別設為“1”、“0”狀態(tài)，則CD4502的X-X2接通，電壓Vcc通過電阻Ron、Rl、Rt、Rl、對電容充電，經(jīng)歷Tt過渡時間，Uc(t)達到比較器的翻轉(zhuǎn)電壓，且過渡時間T?t可由(10)式求得，即

??? 將P1.2、P1.3均為“1”狀態(tài)，CD4502的Y-Y3接通，對電容放電。
??? 由式(8)、(9)、(10)可得到如式(7)的熱電阻阻值表達式，此表達式可以轉(zhuǎn)化成下式：

??? 由式(11)可以看出，由于系統(tǒng)參數(shù)己固定，Tt、Tc、Tl如有誤差，誤差應具有相同的方向，即同時具有正向誤差，或負向誤差，通過Tt－Tl，Tc－Tl可消除系統(tǒng)誤差，這一特點有利于提高測量精度。
4 參數(shù)的選擇
??? 由式(2)可知，Tt的大小取決于電阻Rt、電容C，在單片機的計數(shù)器不溢出的基礎上，Tt的數(shù)值越大，測量精度越高，一般情況下，Rc應近似取被測電阻最大值的一半，電容Ｃ按下式選擇：

其中Tt：計數(shù)器溢出時間，與單片機的時鐘頻率及定時器的位數(shù)有關；?
???????? Rmax：被測電阻的最大值；?
??? 如果采用Pt100做溫度傳感器，溫度測量范圍為-200～850℃，對應的阻值為18.49～390.26Ω、考慮到其他電阻的影響，取Rmax為1K(Rt+Rc+2Rl)，則Rc為500Ω、Vcc為5V、VD為2.5V。
??? 單片機AT89C51的時鐘頻率為16MHz、定時器的分辨率為16位，則T計數(shù)范圍為65535對應的計數(shù)時間為1us*65535us，由式(12)知：C<94.5uf、取90uf、則其靈敏度K(個數(shù)／Ω)為：

5 系統(tǒng)實現(xiàn)
??? 采用AT89C51為核心，X25045存儲相關定值，另外X25045具有WATCHDOG功能，可防止程序的“飛車”，提高了系統(tǒng)的抗干擾能力，通過標準的RS232串行接口實現(xiàn)與遠方的數(shù)據(jù)通訊，鍵盤顯示部分實現(xiàn)人機接口，開出部分實現(xiàn)報警和相應的控制，組成系統(tǒng)框圖如下：

6 結(jié)論
??? 利用電容沖放電原理實現(xiàn)的熱電阻測量電路，設計合理，結(jié)構(gòu)簡單，符合現(xiàn)場測溫的實際情況，經(jīng)現(xiàn)場實踐表明，運行準確，可靠。

參考文獻：

［１］郝蕓．傳感器原理與應用［Ｍ］．電子工業(yè)出版社，2002，第一版
［２］何立民．單片機應用設計［Ｍ］．北京航空航天大學出版社，1996，第一版
［３］李華．MCS-51系列單片機實用接口技術［Ｍ］．北京航空航天大學出版社，1993，第一版
［４］何立民．單片機應用技術選編(8)［Ｍ］．北京航空航天大學出版社，2000，第一版