當(dāng)前，隨著智能手機行業(yè)不斷向前發(fā)展，各大品牌廠商紛紛在軟硬件升級方面展開布局。例如，推出自研操作系統(tǒng)，升級影像系統(tǒng)、引入最新的顯示技術(shù)等。從市場趨勢中可以窺見，極致的用戶體驗背后需要強大的硬件與先進的軟件算法緊密結(jié)合。嵌入式存儲器作為智能手機的關(guān)鍵硬件之一，其性能、功耗、體積是影響手機競爭力的重要因素。同時，存儲器與其他軟硬件的協(xié)同能力也深刻影響著智能手機的用戶體驗。



根據(jù)CFM閃存市場的數(shù)據(jù)，除ios系統(tǒng)外，53%的智能手機采用集成式存儲方案，33%的智能手機采用分離式存儲方案。佰維存儲憑借在嵌入式存儲領(lǐng)域的解決方案研發(fā)能力和先進封裝測試優(yōu)勢，可為手機品牌廠商提供包括分離式存儲方案（eMMC/UFS + LPDDR）和集成式存儲方案（eMCP/uMCP）在內(nèi)的多種高性能、小體積的存儲方案，幫助手機廠商實現(xiàn)存儲方案的靈活選擇，助力品牌在消費市場形成先發(fā)優(yōu)勢。?
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佰維uMCP/eMCP集成式存儲高集成、小體積，助力智能手機輕薄化?
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屏幕、傳感器、處理器、5G等技術(shù)的進步驅(qū)動智能手機行業(yè)不斷進步，卻影響了電池的續(xù)航能力，加之手機應(yīng)用自啟動會在后臺占用系統(tǒng)和硬件資源，進一步消耗電量。在實際生活中，手機經(jīng)常需要扮演支付工具、通訊工具、攝像工具等多重角色，尤其是在出差、旅行等外出流動性場景，電量告急會帶來諸多不便，強續(xù)航是酣暢用戶使用體驗的必要條件之一。

更高階的娛樂類與生產(chǎn)型工具等APP不斷涌現(xiàn)，多個應(yīng)用程序并行考驗手機的流暢度，進而對存儲性能提出了更高的要求。同時，品牌廠商需要通過輕薄機身來滿足用戶對手機產(chǎn)品便攜性和輕盈手感的追求，存儲器作為手機的關(guān)鍵器件，必須順應(yīng)智能手機高性能、低功耗、輕薄化的發(fā)展趨勢。

此外，手機軟件與硬件的協(xié)同整合是釋放手機性能和提升用戶體驗的關(guān)鍵一環(huán)。存儲器需要在確保與手機軟硬件兼容的基礎(chǔ)上，快速響應(yīng)SoC/處理器的指令，為用戶提供流暢絲滑的使用體驗。




依托公司多層疊Die、超薄Die、SiP等先進封裝工藝，佰維eMCP、uMCP集成式存儲芯片實現(xiàn)主控、閃存與內(nèi)存的高效集成，芯片尺寸分別小至11.5mm × 13mm × 0.90mm，11.5mm×13.0mm×1.0mm，大幅節(jié)約PCB空間。例如，佰維存儲uMCP5存儲芯片相較于UFS3.1和LPDDR5分離式的解決方案可節(jié)約55％主板空間，為電池續(xù)航升級和其他獨創(chuàng)性設(shè)計留出空間，助力手機輕薄化設(shè)計。



?在性能方面，佰維存儲基于LPDDR5的uMCP產(chǎn)品集成了LPDDR5和UFS3.1存儲芯片，相較于公司基于LPDDR4X的前代uMCP產(chǎn)品，讀速提升100%至2100MB/s，數(shù)據(jù)傳輸速率從4266Mbps提升50%至6400Mbps，強大性能助力手機輕松存儲并處理多媒體應(yīng)用產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)，高效支持智能手機多任務(wù)處理、高清視頻解碼、游戲加載、大文件拷貝等應(yīng)用。?佰維存儲eMCP將高性能主控和NAND Flash晶片合二為一，增強了NAND Flash、DRAM與SoC之間的通信能力，提高芯片整體性能，實現(xiàn)小體積內(nèi)的更高性能與更大容量。以公司eMCP MG系列為例，其順序讀寫速度分別高達300MB/s、150MB/s，LPDDR支持頻率最高為2133MHz。
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佰維eMMC/UFS+LPDDR分離式存儲高性能、低功耗，加速手機流暢體驗?
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手機的使用流暢度受到存儲容量和性能的共同影響，當(dāng)手機存儲器SLC緩存空間不足或讀寫性能存在短板時，寫入數(shù)據(jù)過慢會導(dǎo)致存儲器無法快速響應(yīng)SoC/處理器的指令，更無法滿足長時間的高性能讀寫，手機可能會出現(xiàn)卡頓、無響應(yīng)甚至崩潰的現(xiàn)象。
如果存儲器具備很強的順序讀取性能，就能夠以更快的速度打開和啟動APP，減少用戶的等待時間，大容量、高性能的存儲器是提升手機產(chǎn)品用戶體驗的關(guān)鍵一環(huán)。



基于存儲介質(zhì)特性研究、自研固件算法等核心技術(shù)，公司UFS、LPDDR產(chǎn)品具有高性能、低功耗等優(yōu)勢。以公司UFS3.1為例，該產(chǎn)品寫入速度高達1800MB/s，是前代通用閃存存儲的4倍以上，讀取速度高達2100MB/s，容量高達256GB（未來將推出512GB、1TB容量），保證多場景下人機交互類功能的流暢度和切換體驗。
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同時，公司可提供UFS3.1+LPDDR4X/5的存儲搭配方案，其中LPDDR5產(chǎn)品相比于LPDDR4，頻率大幅提升，最高達到6400Mbps，理論傳輸帶寬較前代產(chǎn)品的34GB/s提升至51GB/s，整體性能提升50%；且通過動態(tài)電壓調(diào)節(jié) （DVFS）功能，LPDDR5可在低速工作時切換至更低電壓，功耗降低30%。
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軟硬件融合塑造產(chǎn)品核心競爭力探索極致用戶體驗?
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如今高端智能手機大多采用集成CPU 內(nèi)核、GPU、DSP 等模塊與功能的移動 SoC （System on Chip）平臺，SoC會根據(jù)各模塊的分工及相應(yīng)的使用環(huán)境進行科學(xué)的調(diào)配 ，SoC內(nèi)部的集成模塊之間、SoC與其他硬件及軟件系統(tǒng)的優(yōu)化與協(xié)同性是決定用戶體驗的關(guān)鍵因素，軟硬件之間的深度融合方能充分發(fā)揮硬件的高性能與軟件的靈活性。?佰維存儲協(xié)同終端客戶一起，展開了SoC平臺、存儲、系統(tǒng)、應(yīng)用等多方聯(lián)動的調(diào)校支持與賦能，洞悉用戶場景并不斷優(yōu)化，致力于提升手機產(chǎn)品的流暢度，打造終端產(chǎn)品的強勢競爭力。值得一提的是，公司的嵌入式存儲產(chǎn)品已累計通過高通、聯(lián)發(fā)科、展銳等SoC平臺超1070個產(chǎn)品AVL驗證，可為客戶提供多品類覆蓋的存儲解決方案，能夠靈活地滿足客戶的多種需求，實現(xiàn)客制化、高效化的服務(wù)。?
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結(jié)語：
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嵌入式存儲器在構(gòu)建手機產(chǎn)品力方面發(fā)揮著重要作用，無論是集成式存儲方案還是分離式存儲方案，佰維面向智能手機的存儲芯片所具備的高性能、小體積、低功耗等出色特性，有力地支持手機廠商更好地滿足并引領(lǐng)消費者需求。?未來，佰維存儲堅持深化研發(fā)封測一體化布局，積極加強與生態(tài)伙伴以及終端客戶的緊密協(xié)作，持續(xù)突破創(chuàng)新邊界，提供更加優(yōu)質(zhì)、先進的嵌入式存儲產(chǎn)品與解決方案，助力智能終端客戶開拓更廣闊的市場。
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