8月21日，臺(tái)積電在其官方博客上宣布，自2018年開(kāi)始量產(chǎn)的7nm工藝，其所生產(chǎn)的芯片已經(jīng)超過(guò)10億顆。此外，臺(tái)積電官網(wǎng)還披露了一個(gè)消息，其6nm工藝制程于8月20日開(kāi)始量產(chǎn)。 先看7nm，臺(tái)積電
2020-08-23 08:23:00
6178 從芯片的制造來(lái)看，7nm就是硅材料芯片的物理極限,而臺(tái)積電更先進(jìn)的7nm工藝也將開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段。
2016-10-21 10:23:231177 從芯片的制造來(lái)看，7nm就是硅材料芯片的物理極限,到了7nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不足以在保證性能的同時(shí)抑制漏電,所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來(lái)提高器件性能。
2016-10-21 14:46:306518 日前中芯國(guó)際CEO邱慈云表態(tài)今年晚些時(shí)候會(huì)投資研發(fā)7nm工藝，不過(guò)他并沒(méi)有給出國(guó)產(chǎn)7nm工藝問(wèn)世時(shí)間，考慮到14nm工藝目標(biāo)定在2018-2020年左右，估計(jì)國(guó)產(chǎn)的7nm工藝至少也得在2020年之后了。
2017-03-17 09:28:312759 芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽(tīng)到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來(lái)看看吧！
2023-12-07 11:45:3110554 
隸屬美國(guó)能源部的勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室Ali Javey 團(tuán)隊(duì)即宣稱，突破了物理極限，成功創(chuàng)造1 納米晶體管。
2016-10-09 09:52:062065 
3nm工藝，外媒的報(bào)道顯示，臺(tái)積電是計(jì)劃每平方毫米集成2.5億個(gè)晶體管。 作為參考，采用臺(tái)積電7nmEUV工藝的麒麟9905G尺寸113.31mm2，晶體管密度103億，平均下來(lái)是0.9億/mm2，3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個(gè)密度形象化比喻一下，就是將奔騰4處理器縮小到
2020-04-20 11:27:495155 自然期刊，這對(duì)于1nm以下的半導(dǎo)體制程來(lái)說(shuō)是一次巨大的突破。 ? 當(dāng)前主流半導(dǎo)體制程已經(jīng)發(fā)展至3nm和5nm，乃至IBM也在近期推出了2nm，但單位面積內(nèi)所能容納的晶體管數(shù)目也已經(jīng)逼近硅的物理極限，雖說(shuō)制程突破受制于生產(chǎn)設(shè)備，卻也
2021-05-18 09:00:006467 很多晶體管組成的。芯片制程是指在芯片中，晶體管的柵極寬度。因?yàn)樵谡麄€(gè)芯片中，晶體管的柵極是整個(gè)電路中最窄的線條。如果柵極寬度為10nm，則稱其為10nm制程。納米數(shù)越小，比如從10nm到 7nm，就可以
2019-12-10 14:38:41
GPU和CPU產(chǎn)品依舊在使用五年前的14nm工藝或者其改進(jìn)版本。新的10nm、7nm工藝雖然已經(jīng)上市，但是綜合頻率、功耗、晶體管密度等因素來(lái)看，其表現(xiàn)依舊不能令人滿意。進(jìn)入2020年，也就是21世紀(jì)20
2020-07-07 11:38:14
7nm新工藝的加持：RX 5500 XT可輕輕松松突破2GHz
2021-06-26 07:05:34
國(guó)內(nèi)的通富微電成為AMD 7nm芯片的封測(cè)廠商之一
2020-12-30 07:48:47
技(Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼: SNPS)近日宣布，在設(shè)計(jì)人員的推動(dòng)下，F(xiàn)usion Design Platform?已實(shí)現(xiàn)重大7nm工藝里程碑，第一年流片數(shù)突破100，不僅
2020-10-22 09:40:08
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說(shuō)7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說(shuō)7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對(duì)美國(guó)的技術(shù)突破，中國(guó)應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
7nm 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)高級(jí)節(jié)點(diǎn)存在許多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，例如：老化效應(yīng)隨著晶體管器件的開(kāi)啟和關(guān)閉，有兩個(gè)主要的物理效應(yīng)會(huì)影響可靠性：負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性 ( NBTI )熱載體注入 (HCI)電路設(shè)計(jì)人員了解到
2022-11-04 11:08:00
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
nm晶圓廠進(jìn)入生產(chǎn)狀態(tài)。臺(tái)積電的5nm制程分為N5及N5P兩個(gè)版本。N5相較于當(dāng)前的7nm制程N7版本在性能方面提升了15%、功耗降低了30%，晶體管密度提升了80%。N5P版本性能較N5提升7
2020-03-09 10:13:54
、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到現(xiàn)在的7nm（對(duì)應(yīng)都是MOS管柵長(zhǎng)），目前也有了很多實(shí)驗(yàn)室在進(jìn)行一些更小尺寸的研究。隨著MOS管的尺寸不斷的變小，溝道的不斷變小，出現(xiàn)各種
2020-12-10 06:55:40
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來(lái)了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫(kù)
2021-06-25 06:39:25
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
目前的GS464V升級(jí)到LA664，因此單核性能有較大提升，達(dá)到市場(chǎng)上主流設(shè)計(jì)。至于未來(lái)的工藝，龍芯表示目前公司針對(duì)7nm的工藝制程對(duì)不同廠家的工藝平臺(tái)做評(píng)估，不過(guò)他們沒(méi)有透露什么時(shí)候跟進(jìn)7nm工藝
2023-03-13 09:52:27
根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個(gè)芯片上集成了上萬(wàn)個(gè)9nm制程工藝的晶體管，相信大家對(duì)于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來(lái)越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:184009 摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。然而事情的發(fā)展總歸會(huì)有一個(gè)權(quán)限，5nm則是硅芯片工藝的極限所在，事實(shí)上，隨著10nm、7nm芯片研發(fā)消息不斷報(bào)出
2016-12-22 10:23:1143944 隨著智能手機(jī)的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝也急速提升，從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程，讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0049700 工藝制程的進(jìn)步是摩爾定律的關(guān)鍵一環(huán)，目前商用的最先進(jìn)是10nm，下一個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)是7nm，后者將宣告半導(dǎo)體正式邁進(jìn)入10nm階段。
2017-07-25 15:13:241223 驍龍855芯片突破制程工藝，采用7nm制程，比較前身更加節(jié)能。如果高通在2019年推出驍龍855，那么它有可能就是A13芯片，2019年的iPhone手機(jī)也會(huì)采用這個(gè)芯片。
2017-10-12 18:25:004086 Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點(diǎn)在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限，因?yàn)榈搅?b class="flag-6" style="color: red">7nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不足以在保證性能的同時(shí)抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來(lái)提高器件性能，7nm是一項(xiàng)非常復(fù)雜的技術(shù)。
2017-12-07 15:00:002315 2018年6月6日，Computex 2018期間，AMD正式展示了代表未來(lái)的產(chǎn)品——7nm制程采用Zen 2架構(gòu)的EPYC(霄龍)服務(wù)器處理器，以及7nm制程、32GB HBM2顯存的Radeon Vega GPU，進(jìn)一步加快7nm制程芯片落地的步伐。
2018-06-14 16:52:001121 由于晶體管制造的復(fù)雜性，每代晶體管制程針對(duì)不同用途的制造技術(shù)版本，不同廠商的代次間統(tǒng)計(jì)算法也完全不同，單純用代次來(lái)比較并不準(zhǔn)確。根據(jù)目前業(yè)界常用晶體管密度來(lái)衡量制程水平，英特爾最新10nm制程的晶體管密度堪比三星 EUV版本7nm制程。
2018-07-10 16:31:004668 
臺(tái)積電已經(jīng)在著手將其7nm制程工藝擴(kuò)大到大規(guī)模生產(chǎn)，臺(tái)積電的7nm制程工藝被稱作N7，將會(huì)在今年下半年開(kāi)始產(chǎn)能爬坡。
2018-06-12 15:14:414084 46屆Cowen技術(shù)大會(huì)上，AMD技術(shù)總監(jiān)Mark Papermaster再一次向外公布朝向7nm工藝技術(shù)的發(fā)展，他表示7nm技術(shù)將會(huì)在晶體管密度和功耗上提升巨大，他還透露稱目前研發(fā)的7nm產(chǎn)品有三款，之后的產(chǎn)品都會(huì)應(yīng)用7nm，下半年將會(huì)正式采樣。 本文引用地址: AMD現(xiàn)階段的12nm工藝
2018-07-06 10:33:00986 在日前舉行的Computex 2018發(fā)布會(huì)上，AMD有些出人意料地進(jìn)行了高規(guī)格的產(chǎn)品發(fā)布，公開(kāi)的產(chǎn)品包括下一代使用7nm工藝的VEGA GPU，以及使用7nm的Zen 2處理器。目前，7nm
2018-06-29 16:17:244863 在說(shuō)明AMD 7nm處理器和Intel 7nm處理器的分別之前，我們必須了解一點(diǎn)就是，由于10nm的難產(chǎn)，Intel在7nm工藝上遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于AMD，如果是在7nm制作工藝上沒(méi)什么對(duì)比性，當(dāng)然實(shí)際性能就不一定了，因此我們可以主要來(lái)談?wù)凙MD的7nm處理器有什么改變。
2018-07-23 10:04:2320462 2018年下半年，芯片行業(yè)即將迎來(lái)全新7nm制程工藝，而打頭陣的無(wú)疑是移動(dòng)芯片，目前已知的包括蘋果Apple A12／華為麒麟980以及高通驍龍855都是基于7nm工藝，制程工藝似乎成為手機(jī)芯片升級(jí)換代的一大核心點(diǎn)，那么7nm制程工藝好在哪，對(duì)用戶來(lái)說(shuō)有何價(jià)值呢？
2018-08-13 15:26:418284 與16nm FF工藝相比，臺(tái)積電的7nm工藝（代號(hào)N7）將提升35%的性能，降低65%的能耗，同時(shí)晶體管密度是之前的三倍。2019年初則會(huì)推出EUV工藝的7nm+（代號(hào)N7+）工藝，晶體管密度再提升20%，功耗降低10%，不能性能沒(méi)有變化。
2018-08-17 10:28:3019290 高通宣布，即將推出新一代旗艦移動(dòng)平臺(tái)——驍龍855，該平臺(tái)將采用7nm制程工藝。
2018-08-24 15:22:544677 作為最前沿的手機(jī)SoC芯片，擁有全球領(lǐng)先的TSMC 7nm制造工藝工藝性能提升20%，能效提升40%在指甲蓋大小的尺寸上塞進(jìn)69億個(gè)晶體管。
2018-09-03 14:46:173335 作為全球首款TSMC 7nm 制程工藝的手機(jī)芯片，相比上一代產(chǎn)品麒麟970，它的芯片面積縮小了，晶體管密度卻提升到1.6 倍，性能也相應(yīng)能提升20%，能效比提升40%。麒麟980相比當(dāng)年的麒麟920，晶體管密度已經(jīng)提升6.8倍，性能提升2.5倍，能效則提升4.0倍。
2018-09-10 15:07:397036 晶圓代工巨頭企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格芯），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7nm制程便已經(jīng)好似近在眼前。
2018-09-28 14:49:554996 和1Xnm半導(dǎo)體工藝的百花齊放相比，個(gè)位數(shù)的制程就顯得單調(diào)許多了，很多在10Xnm大放異彩的半導(dǎo)體公司都在7nm制程處遭遇到了苦頭。
2018-10-26 15:40:3117488 和1Xnm半導(dǎo)體工藝的百花齊放相比，個(gè)位數(shù)的制程就顯得單調(diào)許多了，很多在 1Xnm大放異彩的半導(dǎo)體公司都在7nm制程處遭遇到了苦頭，隨著AMD御用代工廠商GF宣布無(wú)限期延期7nm制程工藝，目前僅剩
2018-10-28 11:34:138116 還是路線圖都在按計(jì)劃進(jìn)行。 根據(jù)臺(tái)積電提供的數(shù)據(jù)，7nm相比于目前的14/12nm可以將晶體管密度提高一倍，同等
2018-11-29 15:35:02521 AMD日前發(fā)布了全球首款采用7nm工藝核心的游戲卡Radeon VII，定位直指RTX 2080，將在2月7日解禁發(fā)售。該顯卡制程工藝領(lǐng)先一代，晶體管密度提升100%，相同功耗下性能提升25%；同樣頻率下功耗降低50%。
2019-02-11 11:53:233541 XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來(lái)表示?，F(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
2019-02-20 11:08:0234080 臺(tái)積電計(jì)劃在明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片，5nm較7nm晶體數(shù)量將增加1.8倍，性能提升15%。不過(guò)在今年，2019款iPhone還是繼續(xù)采用7nm工藝制程的芯片，性能較上代的A12有所提升。而高通下一代旗艦芯片驍龍865將由三星代工，也是7nm EUV工藝制造。
2019-06-17 10:36:281404 nova 5搭載了華為最新推出的麒麟810。810和980一樣采用了7nm制程工藝。目前，全球采用7nm制程工藝的SOC芯片只有四款：蘋果A12，高通驍龍855，華為麒麟980和麒麟810，四占其二，華為是目前唯一擁有兩款7nm制程SOC的公司。
2019-06-21 22:02:3010631 
目前，臺(tái)積電7nm制程工藝主要被AMD第三代銳龍平臺(tái)使用，并且?guī)椭J龍?zhí)幚砥髟谥黝l上追上了英特爾。
2019-06-26 09:39:426461 
7nm工藝計(jì)劃2021年推出，相比10nm工藝晶體管密度翻倍，每瓦性能提升20%，設(shè)計(jì)復(fù)雜度降低了4倍。
2019-07-19 10:49:363405 CPU使用數(shù)十億個(gè)微型晶體管，電子門打開(kāi)和關(guān)閉以執(zhí)行計(jì)算。晶體管越小，所需的功率就會(huì)越小。7nm和10nm是這些晶體管尺寸的測(cè)量尺寸。nm是納米和微小長(zhǎng)度的縮寫，以此來(lái)判斷特定CPU有多強(qiáng)大的有用指標(biāo)。
2019-08-18 10:02:177884 今年AMD確實(shí)大打翻身仗，7nm銳龍3000系列處理器讓AMD在CPU處理器的工藝上首次超越了Intel。而當(dāng)時(shí)Intel還在深耕14nm，好在最近Intel開(kāi)始量產(chǎn)10nm工藝，而且7nm工藝也已經(jīng)走上正軌。
2019-09-08 09:45:531222 7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后，臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現(xiàn)全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來(lái)最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:115945 7nm是Intel下一代工藝的重要節(jié)點(diǎn)，而且是高性能工藝，其地位堪比現(xiàn)在的14nm工藝，而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝，意義重大。
2019-10-12 14:44:543267 目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入 7nm，下一步還要進(jìn)入 5nm、3nm 節(jié)點(diǎn)，制造難度越來(lái)越大，其中晶體管結(jié)構(gòu)的限制至關(guān)重要，未來(lái)的工藝需要新型晶體管。
2019-12-10 15:40:497723 目前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入7nm，下一步還要進(jìn)入5nm、3nm節(jié)點(diǎn)，制造難度越來(lái)越大，其中晶體管結(jié)構(gòu)的限制至關(guān)重要，未來(lái)的工藝需要新型晶體管。
2019-12-10 16:56:154082 目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為7nm+Euv工藝制程，比較出名的就是華為的麒麟990 5G芯片，內(nèi)置了超過(guò)100億個(gè)晶體管。
2020-01-16 08:48:442469 在工藝制程方面，臺(tái)積電的進(jìn)度明顯要快于英特爾。其實(shí)在2017年的時(shí)候，英特爾就指出臺(tái)積電7nm并非真實(shí)的7nm。而且英特爾呼吁行業(yè)應(yīng)該統(tǒng)一命名標(biāo)準(zhǔn)，防止命名混亂。英特爾更希望以晶體管密度作為衡量標(biāo)準(zhǔn)。
2020-03-01 08:13:003563 Intel之前已經(jīng)宣布在2021年推出7nm工藝，首發(fā)產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工藝更加重要了，因?yàn)镮ntel在這個(gè)節(jié)點(diǎn)會(huì)放棄FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA晶體管。
2020-03-11 09:51:096774 
FinFET晶體管隨后也成為全球主要晶圓廠的選擇，一直用到現(xiàn)在的7nm及5nm工藝。
2020-03-12 07:48:002686 臺(tái)積電5nm制造工藝基于ULV，也就是紫外線光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)，之前的7nm EUV工藝同樣也是基于這項(xiàng)技術(shù)。那么制程的縮小又意味著什么？相比于7nm工藝，5nm工藝可以進(jìn)一步提升芯片的晶體管密度，提升性能并降低功耗，可廣泛用于PC、智能手機(jī)等設(shè)備的元器件中。
2020-03-12 14:10:443184 我們經(jīng)?？吹綀?bào)道上說(shuō)芯片制程達(dá)到了14nm、7nm、5nm，最近中芯國(guó)際在沒(méi)有ASML的EUV光刻機(jī)的情況下，實(shí)現(xiàn)了7nm的制程，有很多人對(duì)此感到很興奮。
2020-04-19 11:40:0527018 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，圖形處理器廠商英偉達(dá)周四推出了他們首款基于安培架構(gòu)的GPU英偉達(dá)A100，采用7nm工藝制造，集成超過(guò)540億個(gè)晶體管。
2020-05-15 10:33:423246 在近日的GTC上，Nvidia發(fā)布了最新的安培架構(gòu)，以及基于安培架構(gòu)的A100 GPU。A100 GPU使用臺(tái)積電7nm工藝實(shí)現(xiàn)，包含了542億個(gè)晶體管，據(jù)官方消息可以實(shí)現(xiàn)比起上一代V100高7倍的性能。
2020-05-20 10:17:503122 去年AMD推出了7nm Zen2架構(gòu)的銳龍、霄龍?zhí)幚砥?，這是首款7nm工藝的x86處理器。不過(guò)嚴(yán)格來(lái)說(shuō)它是7nm+14nm混合，現(xiàn)在AMD要加速甩掉14nm工藝了，IO核心也有望使用臺(tái)積電7nm工藝。
2020-09-24 10:12:582368 關(guān)于芯片工藝，Intel前幾天還回應(yīng)稱友商的7nm工藝是數(shù)字游戲，Intel被大家誤會(huì)了。不過(guò)今年Intel推出了新一代的10nm工藝，命名為10nm SuperFin工藝，簡(jiǎn)稱10nm SF，號(hào)稱是有史以來(lái)節(jié)點(diǎn)內(nèi)工藝性能提升最大的一次，沒(méi)換代就提升15%性能，比其他家的7nm還要強(qiáng)。
2020-09-27 10:35:064358 
臺(tái)積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會(huì)跟著受益，現(xiàn)在自己生產(chǎn)芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經(jīng)延期到至少2021年了。
2020-11-18 10:02:442079 如今5nm才剛剛起步，臺(tái)積電的技術(shù)儲(chǔ)備就已經(jīng)緊張到了2nm，并朝著1nm邁進(jìn)。根據(jù)最新報(bào)道，臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2nm工藝有望在2023
2020-11-26 10:48:093409 
、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃，且1nm時(shí)代的光刻機(jī)體積將增大不少。 據(jù)稱在當(dāng)前臺(tái)積電、三星的7nm、5nm制造中已經(jīng)引入了NA=0.33的EUV曝光設(shè)備，2nm之后需要
2020-11-30 15:47:403167 1 月 15 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在蘋果轉(zhuǎn)向 5nm，華為無(wú)法繼續(xù)采用臺(tái)積電的先進(jìn)工藝代工芯片之后，臺(tái)積電 7nm 的產(chǎn)能，也就有了給予其他廠商更多的可能，去年下半年 AMD 獲得的產(chǎn)能
2021-01-15 11:27:283373 則是早早的用上了臺(tái)積電7nm工藝，晶體管集成度提高，性能和能耗比也有大幅提升。 近期，據(jù)驅(qū)動(dòng)之家報(bào)道，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士稱，Intel將其南橋芯片組的生產(chǎn)外包給了三星，GPU芯片則委托給臺(tái)積電代工生產(chǎn)，將使用臺(tái)積電的4nm工藝。 ? 這幾年Intel銷量占比持續(xù)下降，為了提高市場(chǎng)占
2021-01-25 17:58:532224 ，3nm工藝是今年下半年試產(chǎn)，2022年正式量產(chǎn)。 與三星在3nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)選擇GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝不同，臺(tái)積電的第一代3nm工藝比較保守，依然使用FinFET晶體管。 與5nm工藝相比，臺(tái)積電3nm工藝的晶體管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。 不論是5nm還是3nm工
2021-02-19 15:13:402778 。 原文如下： 說(shuō)點(diǎn)題外話，大家就當(dāng)看個(gè)熱鬧吧，既然說(shuō)舊工藝的“疊加”，那咱就聊聊疊加嘛。 首先還是強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，現(xiàn)在所謂的幾 nm 工藝，這個(gè)幾 nm 的數(shù)字并不是指晶體管的 gate length（或溝道長(zhǎng)度）——很多人對(duì)此是存在誤解的。比如臺(tái)積電的 7nm 工藝，晶體管并不存在
2021-07-02 16:39:346837 半導(dǎo)體制程已經(jīng)進(jìn)展到了3nm，今年開(kāi)始試產(chǎn)，明年就將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，之后就將向2nm和1nm進(jìn)發(fā)。相對(duì)于2nm，目前的1nm工藝技術(shù)完全處于研發(fā)探索階段，還沒(méi)有落地的技術(shù)和產(chǎn)能規(guī)劃，也正是因?yàn)槿绱?，使?b class="flag-6" style="color: red">1nm技術(shù)具有更多的想象和拓展空間，全球的產(chǎn)學(xué)研各界都在進(jìn)行著相關(guān)工藝和材料的研究。
2021-12-17 15:18:0612951 1nm芯片是什么意思？目前芯片的代工工藝制程工藝已經(jīng)進(jìn)入3nm節(jié)點(diǎn)，在1nm芯片制造技術(shù)節(jié)點(diǎn)迎來(lái)技術(shù)突破。芯片的發(fā)展一直都很快，有消息稱IBM與三星聯(lián)手將實(shí)現(xiàn)1nm及以下芯片制程工藝。
2021-12-17 14:34:4334377 制程3，首次將5G Modem集成到SoC上，方寸之地集成了約103億晶體管4，如發(fā)絲作畫，非奇跡而不為。承襲并進(jìn)化麒麟優(yōu)秀基因，融合巴龍卓越5G能力，以硬核技術(shù)與超前智慧，決勝千里。麒麟990處理器的硬件參數(shù)。麒麟990處理器是采用了7nm制程工藝打造的八核處理器，CPU部分采用三叢集的設(shè)計(jì)，
2021-12-22 19:11:40
15 全球首顆2nm芯片已經(jīng)被IBM研制出來(lái)了，在這一顆指甲蓋大小面積的芯片上可以容納500億顆晶體管，芯片制程工藝的進(jìn)步必將讓半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展越來(lái)越快。接下來(lái)我們?cè)敿?xì)了解下這款2nm芯片的特性、功耗等，跟7nm芯片做個(gè)對(duì)比，看下2nm芯片與7nm芯片之間有何差距。
2022-06-22 09:52:437529 7nm和12nm指的是晶體管間的距離。在同等cpu面積下，距離越小，能夠擺放的晶體管數(shù)量也就越多。那么，對(duì)于運(yùn)算速度而言，晶體管越多，運(yùn)算速度提高的可能性也就越大。
2022-06-23 15:58:379960 我們?cè)谖闹谐Ｕf(shuō)的7nm和12nm其實(shí)是工藝制程，也就是處理器的蝕刻尺寸，就是我們八一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
2022-06-24 09:58:194374 的重要性，我國(guó)目前最先進(jìn)的制程7nm還正在研發(fā)當(dāng)中，那么2nm芯片與7nm芯片的差距有多大呢？ 拿臺(tái)積電的7nm舉例子，臺(tái)積電最初用DUV光刻機(jī)來(lái)完成7nm工藝，當(dāng)時(shí)臺(tái)積電7nm工藝要比上一代16nm工藝密度高3.3倍，性能提升達(dá)到了35%以上，同樣性能下功耗減少了65%，在當(dāng)時(shí)
2022-06-24 10:31:305966 目前手機(jī)處理器的工藝制程是7nm，臺(tái)積電也即將量產(chǎn)5nm芯片，未來(lái)還有2nm甚至1nm芯片的出現(xiàn)。臺(tái)積電的研發(fā)負(fù)責(zé)人曾在談?wù)摪雽?dǎo)體工藝極限的問(wèn)題時(shí)，認(rèn)為到2050年，晶體管可達(dá)0.1nm的氫原子尺度。
2022-06-24 16:10:0326799 已經(jīng)進(jìn)入了試產(chǎn)階段，并且也從華為那邊收取到了麒麟710A的訂單，中芯國(guó)際表示過(guò)其12nm制程能夠?qū)崿F(xiàn)晶體管尺寸的縮減，相較于14nm制程，中芯國(guó)際的12nm制程將減少20%功耗和增加10%性能。 而相較于7nm芯片，12nm芯片在各方面就已經(jīng)就難以追趕了，以麒麟980和麒
2022-06-27 11:19:346692 最先進(jìn)的制程工藝便是三星的3nm工藝，并且這也是全球首次采用GAA晶體管的芯片，三星表示采用了GAA晶體管的3nm芯片將應(yīng)用在高性能低功耗的計(jì)算領(lǐng)域，并且未來(lái)將要運(yùn)用到移動(dòng)端。 目前三星3nm工藝芯片的首位顧客被爆料是一家來(lái)自中國(guó)的礦機(jī)芯片公司，隨
2022-06-30 16:36:272953 1 眾所周知，芯片制程工藝越小，芯片的性能就會(huì)越好，功耗也會(huì)更低，而隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程工藝迎來(lái)了重要的7nm，而關(guān)于中芯國(guó)際12nm芯片的事又鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng)，那么12nm芯片和7nm芯片哪個(gè)費(fèi)電
2022-07-01 09:43:274693 有多大呢？是2nm嗎？ 其實(shí)芯片前面的數(shù)字代表的是這款芯片所采用的制程工藝，2nm即為2nm制程工藝，而制程工藝又特指芯片內(nèi)部晶體管的柵極最小長(zhǎng)度，柵極是晶體管內(nèi)用于控制電流的結(jié)構(gòu)，因此2nm即代表著芯片內(nèi)部晶體管最小柵極長(zhǎng)度為2nm，并不是代表整
2022-07-04 09:15:365743 到2007年，當(dāng)時(shí)Intel公司在舊金山舉辦了一場(chǎng)演講，在那場(chǎng)演講中，Intel CEO展示了一款32nm制程的芯片，他表示該芯片中集成了超過(guò)19億個(gè)晶體管，Intel將會(huì)在2009年正式量產(chǎn)32nm制程工藝的芯片。 2010年Intel推出了Corei7≤980X，這款芯片采用了32nm制程工藝
2022-07-04 09:47:464648 在芯片設(shè)計(jì)和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量，幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:53:4628009 三星3nm采用的晶體管架構(gòu)是GAAFET，也被稱為Nanosheet，而1nm制程對(duì)晶體管架構(gòu)提出了更高的要求。
2022-09-05 15:03:575987 及三星這三大芯片廠商也在沖刺，其中三星首個(gè)宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺(tái)積電沒(méi)說(shuō)時(shí)間點(diǎn)，預(yù)計(jì)也是在2027年左右。 1.4nm之后就是1nm工藝了，這個(gè)節(jié)點(diǎn)曾經(jīng)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限，是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，但是現(xiàn)在芯片廠商也已經(jīng)在攻關(guān)中。 臺(tái)積電已經(jīng)啟動(dòng)了先導(dǎo)計(jì)劃，傳聞中的1nm晶圓
2022-10-31 11:06:302457 
在 VLSI 2021 上，imec 推出了 forksheet 器件架構(gòu)，以將納米片晶體管系列的可擴(kuò)展性擴(kuò)展到 1nm 甚至更領(lǐng)先的邏輯節(jié)點(diǎn)。
2022-11-01 10:50:424281 
然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來(lái)制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-30 14:24:482131 
然而，前不久麻省理工學(xué)院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度，堆疊起來(lái)制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-31 15:45:292196 
制程的小尺寸可以實(shí)現(xiàn)更高的晶體管密度，讓芯片在相同尺寸內(nèi)集成更多的晶體管，從而提供更好的性能和速度。然而，制程的大小并不是唯一衡量芯片性能的因素。三星的5nm，也未必就一定比英特爾的7nm強(qiáng)。
2023-09-12 15:34:3326031 上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實(shí)際線寬無(wú)法大幅縮小的前提下，通過(guò)改變晶體管結(jié)構(gòu)的方式縮小晶體管實(shí)際尺寸來(lái)達(dá)到等效線寬的效果那么新的問(wèn)題來(lái)了：從平面晶體管結(jié)構(gòu)(Planar)到立體
2023-12-19 16:29:011396 
最近網(wǎng)上因?yàn)楣饪虣C(jī)的事情，網(wǎng)上又是一陣熱鬧。好多人又開(kāi)始討論起28nm/7nm的事情了有意無(wú)意之間，我也看了不少網(wǎng)上關(guān)于國(guó)產(chǎn)自主7nm工藝的文章。不過(guò)這些文章里更多是抒情和遐想，卻很少有人針對(duì)技術(shù)
2024-10-08 17:12:491339 
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