12月21 日傳出聘請(qǐng)前臺(tái)積電高層蔣尚義但任獨(dú)立董事的中國(guó)大陸最大晶圓代工業(yè)者中芯國(guó)際 （SMIC），因?yàn)樵?2016 年之內(nèi)，先后宣布 14 納米制程將在 2018 年投產(chǎn)，以及 2016 年投資金額提升至 25 億美元的消息。而這 2 項(xiàng)指標(biāo)都直追全球第 3 大晶圓代工業(yè)者聯(lián)電（UMC），意味中芯將有機(jī)會(huì)超過(guò)聯(lián)電，成為全球僅次于臺(tái)積電與格羅方德 （Global Foundries） 的第 3 大晶圓代工業(yè)者。

據(jù)了解，目前在全球半導(dǎo)體制造技術(shù)上，掌握 10 納米制程技術(shù)的臺(tái)積電，不論技術(shù)與規(guī)模，都是全球晶圓代工業(yè)的領(lǐng)先廠商。而聯(lián)電在廈門(mén)投資的聯(lián)芯擬引進(jìn) 28 納米制程的計(jì)劃，目前仍舊卡關(guān)，僅采用 40/55 納米制程。至于，格羅方德則是買下三星的 14 納米制程的 FinFET 技術(shù)，成為第 3 家掌握該技術(shù)的晶圓代工廠。但該公司虧損多年，之前更曾傳出要賣給大陸企業(yè)，與中芯國(guó)際的競(jìng)爭(zhēng)不明顯。

因此，就目前的市場(chǎng)態(tài)勢(shì)觀察，聯(lián)電早早在中國(guó)大陸設(shè)立和艦科技，加上目前在廈門(mén)也已經(jīng)興建 12 寸晶圓廠，因此與中芯競(jìng)爭(zhēng)最直接的就是聯(lián)電。不過(guò)，本來(lái)聯(lián)電希望將 28 納米制程導(dǎo)入中國(guó)大陸，但由于聯(lián)電 14 納米制程在中國(guó)***地區(qū)尚未量產(chǎn)。因此，礙于投資規(guī)定，中國(guó)***地區(qū)制程技術(shù)必須領(lǐng)先中國(guó)大陸一個(gè)世代以上，因此目前仍處于卡關(guān)階段。

因此，就目前的進(jìn)度來(lái)看，即使 2017 上半年聯(lián)電如期采用 14 納米 FinFET 技術(shù)投產(chǎn)，廈門(mén)聯(lián)芯引進(jìn)的也只是 28 納米制程，這將與中芯國(guó)際是同樣水準(zhǔn)。因此，競(jìng)爭(zhēng)力將不見(jiàn)得會(huì)比中芯更有優(yōu)勢(shì)。此外，2016 年聯(lián)電資本支出為 22 億美元 ，而中芯國(guó)際在 2016 年上半年就已調(diào)升到 25 億美元，中芯的資本支出首度超越聯(lián)電，也加速了中芯的半導(dǎo)體制程技術(shù)前進(jìn)。而且，若中芯的 14 納米 FinFET 技術(shù)如愿在 2018 年投產(chǎn)，屆時(shí)相較聯(lián)電將會(huì)有更大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

2016 年 11 月 16 日聯(lián)電宣布，于廈門(mén)設(shè)立的 12 寸合資晶圓廠聯(lián)芯集成電路舉行揭幕典禮。且該廠打破過(guò)去紀(jì)錄，自 2015 年 3 月動(dòng)工以來(lái)，僅 20 個(gè)月即開(kāi)始量產(chǎn)客戶產(chǎn)品。聯(lián)電指出，聯(lián)芯采用40 納米制程技術(shù)，產(chǎn)品良率逾 99%。而針對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的積極追趕，聯(lián)電在 2016 年第 3 季的法說(shuō)會(huì)上指出，14 納米制程將在 2017 年小幅量產(chǎn)。這也使得聯(lián)芯導(dǎo)入 28 納米制程的機(jī)會(huì)大增。

不過(guò)，市場(chǎng)法人認(rèn)為，即便聯(lián)電順利小幅量產(chǎn) 14 納米制程，但初期良率不高的情況下，雖然看好未來(lái)有機(jī)會(huì)挹注公司營(yíng)運(yùn)。但是，短期面臨 2017 年第 1 季的傳統(tǒng)淡季，加上廈門(mén)聯(lián)芯廠量產(chǎn)初期將拉高成本，都將壓抑 2017 年整體獲利表現(xiàn)。這使得聯(lián)電與中芯的競(jìng)爭(zhēng)，可能會(huì)處于較不利的態(tài)勢(shì)。